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公开(公告)号：CN118668193A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310274394.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32 , G01B11/14 , G01B15/00
Abstract: 本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及承载装置的调节方法，涉及半导体领域。一种工艺腔室包括腔体、承载装置、第一测距装置、第二测距装置和控制装置；腔体顶部设有进气端面，承载装置通过升降机构驱动可升降地设于腔体内，承载装置设有第一通孔和盲孔，盲孔的孔底与承载面相距预设距离；第一测距装置和第二测距装置分别设于腔体，并位于承载装置背离进气端面的一侧，且两者的测距端共面；第一测距装置与第一通孔相对，测量第一平面与进气端面之间的第一距离，第二测距装置测量第一平面与盲孔的孔底间的第二距离；控制装置根据第一距离、第二距离和预设距离得到承载面与进气端面之间的实际距离。本申请至少解决反应间隔存在误差等问题。
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公开(公告)号：CN118668191A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410702675.4
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/511 , C23C16/52 , C30B25/12 , C30B29/04 , C30B25/16
Abstract: 本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。如此设置，在基片台的外周设置环形凸台，可以使基片台上方形成的等离子体分布较为均匀，进而减小中心和边缘的温度差，保证金刚石生长速率一致，降低金刚石晶体应力，降低裂片率。
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公开(公告)号：CN114768578B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210554343.7
申请日：2022-05-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: B01F25/42 , C23C16/455 , B01F101/58
Abstract: 本发明提供一种混气装置，其混气部件中，第一进气通道和第二进气通道的进气端分别与第一进气管路和第二进气管路的出气端连通；第一进气通道和第二进气通道的出气端均与环形混气通道连通；环形混气通道的出气端用于与半导体工艺设备的工艺腔室连通；第一进气通道和第二进气通道的出气方向被设置为能够使分别从第一进气通道和第二进气通道的出气端流入环形混气通道中的气体在混合时，均沿环形混气通道的周向上的同一方向旋转流动。本发明提供的混气装置及半导体工艺设备，其不仅可以缩短混气时间，提高混气效率，而且可以有效提高混合均匀性，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN114520182B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210381543.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座、承载件以及限位环结构；限位环结构套设于基座的外周，内周壁与基座的外周壁之间形成有吹气流道及第一匀流空间，第一匀流空间与吹气流道连通；承载件与基座相互叠置且位于基座的下方，并且承载件与基座之间设置有气流道结构；气流道结构通过连接流道与第一匀流空间连通；气流道结构用于将吹扫气体通过连接流道输送至第一匀流空间；第一匀流空间用于对吹扫气体进行匀流；吹气流道用于将匀流后的吹扫气体吹出，以对晶圆的底面及侧面进行吹扫。本申请实施例实现了边缘吹气对晶圆的底面及侧面气流场影响是一致的，从而大幅提高了工艺均匀性及工艺良率。
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公开(公告)号：CN112593199B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202011337321.2
申请日：2020-11-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于在承载并冷却晶圆，其包括：基座及套设于基座的外周的绝缘环；基座的上表面设置有气流道结构,气流道结构沿基座的径向和环向延伸设置，并且与延伸至基座的周缘，气流道结构用于通入冷却气体，以对承载于基座上表面的晶圆进行冷却；绝缘环用于限定晶圆的位置，并且绝缘环和/或基座上设置有导流结构，导流结构与气流道结构连通，用于导流冷却气体，以调整基座上表面的排气速率。本申请实施例实现了对晶圆的实时冷却，以使得晶圆可连续执行工艺，从而大幅提升了半导体工艺设备的产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113441032B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110713403.0
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备及其气体输送装置，气体输送装置用于向半导体工艺设备的工艺腔室中输送工艺气体，其包括混气件和分气件，分气件设置在工艺腔室的盖板上的安装通孔中，分气件与安装通孔配合形成分气通道，混气件设置在盖板上，其中设置有混气腔，分气通道连通混气腔和工艺腔室；混气腔内安装有多个阻挡件，且多个阻挡件形成至少两组沿混气腔的轴向分布的气体阻挡层；任一气体阻挡层均包括至少两个围绕轴向间隔设置的阻挡件；对于任意相邻的两组气体阻挡层，其中一个气体阻挡层的至少一个阻挡件在轴向的投影覆盖另一气体阻挡层中相邻两个阻挡件之间的间隔区域。上述气体输送装置能够提升气体中不同组分的混合程度。
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公开(公告)号：CN114520182A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210381543.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座、承载件以及限位环结构；限位环结构套设于基座的外周，内周壁与基座的外周壁之间形成有吹气流道及第一匀流空间，第一匀流空间与吹气流道连通；承载件与基座相互叠置且位于基座的下方，并且承载件与基座之间设置有气流道结构；气流道结构通过连接流道与第一匀流空间连通；气流道结构用于将吹扫气体通过连接流道输送至第一匀流空间；第一匀流空间用于对吹扫气体进行匀流；吹气流道用于将匀流后的吹扫气体吹出，以对晶圆的底面及侧面进行吹扫。本申请实施例实现了边缘吹气对晶圆的底面及侧面气流场影响是一致的，从而大幅提高了工艺均匀性及工艺良率。
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公开(公告)号：CN112738968A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011508629.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体生成装置和半导体工艺设备。该装置包括：反应腔室，其具有进气口和出气口；反应腔室包括等离子体生成结构，等离子体生成结构包括：第一电极部和第二电极部，第一电极部中设置有第一输气通道，第二电极部中设置有第二输气通道，第一输气通道与反应腔室的进气口和第二输气通道连通，第二输气通道与反应腔室的出气口连通；第一电极部和第二电极部用于在两个直流电源端之间的电压的控制下，在第一输气通道中以及第一电极部与第二电极部之间的间隔区域中进行放电，以将第一输气通道中以及间隔区域中的反应气体激发成等离子体。本发明实施例的等离子体生成装置可以采用直流电源驱动，无需设置匹配网络，结构简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN112233962B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202010980699.8
申请日：2020-09-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种套装于基座上的收集组件及半导体腔室，涉及半导体加工设备领域。该收集组件用于收集半导体预清洗腔室内的颗粒杂质，包括在半导体预清洗腔室内间隔设置的防护板和收集板组，防护板为环状且其上设置有第一通孔，第一通孔朝向收集板组设置，收集板组包括间隔且固定设置的至少一个环状的收集板，半导体预清洗腔室内的颗粒杂质通过第一通孔后至少部分被收集板捕获。该收集组件可有效地对颗粒杂质进行收集，颗粒杂质的残留少，不容易对半导体预清洗腔室的内壁面造成污染，预清洗后的待加工工件遭受二次污染的风险也小。
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公开(公告)号：CN115101444B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210710567.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 朱磊
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种承载装置，用于在半导体工艺中承载待加工的晶圆，所述承载装置包括壳体、加热盘、冷却盘、第一气道和第二气道，其中：所述壳体具有安装腔，所述加热盘和所述冷却盘由上至下依次间隔设置于所述安装腔中，且二者之间限定出换热空间；所述加热盘包括中部区域以及环绕所述中部区域的环带区域；所述第一气道贯通所述冷却盘，所述第一气道的第一出气孔与所述中部区域对应设置，用于向所述中部区域输送冷却气体；所述第二气道贯通所述冷却盘，所述第二气道的第二出气孔与所述环带区域对应设置，用于向所述环带区域沿周向均匀输送冷却气体。上述方案能够提升对晶圆的控温效果。
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