成型方法、系统、光刻装置、物品的制造方法及存储介质

    公开(公告)号:CN111290223B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201911232783.5

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 本发明涉及成型方法、系统、光刻装置、物品的制造方法及存储介质,提供对提高图案的形成精度有利的技术。使用第一装置和第二装置在基板上的一个层形成图案的成型方法包括:第一测量工序,在第一装置中,测量在所述基板上形成的标记的位置;第一形成工序,基于要形成第一图案的目标位置,在第一装置中在所述基板上形成所述第一图案;第二测量工序,在第二装置中,测量所述标记的位置;第二形成工序,在第二装置中,在所述基板上形成第二图案,其中,在所述第二形成工序中,基于在所述第一测量工序中测量出的所述标记的位置与在所述第二测量工序中测量出的所述标记的位置之差,决定在所述第二装置中在所述基板上形成所述第二图案的位置。

    测量方法、曝光方法、物品的制造方法以及存储介质

    公开(公告)号:CN113267966B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202110176658.8

    申请日:2021-02-07

    Abstract: 本发明涉及测量方法、曝光方法、物品的制造方法及存储介质。测量方法对形成于应转印原版图案的基板上的拍摄区域的多个测量标记进行测量,具有:针对至少1个基板,基于执行对形成于基板上的拍摄区域的多个测量标记中第1数量的测量标记进行测量的第1测量模式而得的第1数量测量标记的测量值,计算与拍摄区域的位置相关的第1位置信息;在设为测量比第1数量少的第2数量的测量标记时,基于第1位置信息针对计算与拍摄区域位置相关的位置信息的多个模型,预测第2位置信息;根据第2位置信息求出评价多个模型的各模型的多个第1评价值;基于与多个第1评价值中满足评价基准的第1评价值对应的模型,将测量模式从第1测量模式转变为第2测量模式。

    测量方法、测量装置、曝光装置以及物品制造方法

    公开(公告)号:CN109932870B

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN201811521277.3

    申请日:2018-12-13

    Abstract: 本公开涉及测量方法、测量装置、曝光装置以及物品制造方法。测量方法具有:第1工序,将把具有多个第1标记的第1图案转印到基板的拍摄区曝光,一边以不产生与相邻拍摄区的重复的方式在行方向以及列方向上分别错开一边进行多次,从而在行方向以及列方向上分别形成多个第1图案;第2工序,将把具有多个第2标记和位于该多个第2标记的周边的多个周边标记的第2图案转印到基板的拍摄区曝光,一边以使相邻拍摄区的一部分区域重复的方式在行方向以及列方向上分别错开一边进行多次,从而在行方向以及列方向上分别形成多个第2图案;以及第3工序,根据转印到基板的第1标记与第2标记的偏离量和一部分区域中的周边标记彼此的偏离量求出畸变。

    管理方法、曝光装置、曝光系统以及物品制造方法

    公开(公告)号:CN117192906A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310645481.0

    申请日:2023-06-01

    Abstract: 本发明涉及管理方法、曝光装置、曝光系统以及物品制造方法。提供关于在再利用所复制的作业的情况下的参数的调整上在工时方面有利的技术。管理对基板进行曝光的曝光装置中的曝光作业的管理方法具有:从其他曝光装置接收包含依赖于该其他曝光装置的装置特性的第1参数和不依赖于该装置特性而依赖于过程的第2参数的曝光作业的工序;基于预先得到的所述曝光装置可曝光的区域的全部区域的失真数据,计算出依赖于所述曝光装置的装置特性的第3参数的工序;以及通过将接收到的所述曝光作业中的所述第1参数置换为所述第3参数,得到在所述曝光装置中使用的曝光作业的工序。

    校正方法、曝光方法、物品的制造方法、存储介质、光学装置以及曝光装置

    公开(公告)号:CN116954029A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310445537.8

    申请日:2023-04-24

    Inventor: 崔长植 张劬

    Abstract: 本发明涉及校正方法、曝光方法、物品的制造方法、存储介质、光学装置及曝光装置。校正方法通过驱动多个机构来校正在被成像面上成像图案的光学系统的成像误差,包括:获取工序,针对所述多个机构的各个,获取表示所述光学系统的成像相对于机构的驱动的变化程度的成像灵敏度矩阵;决定工序,通过求解规定将针对所述多个机构的各个在所述获取工序中获取的所述成像灵敏度矩阵作为矩阵元素的第1矩阵、将针对所述多个机构的各个的目标驱动量作为矩阵元素的第2矩阵及由所述成像误差的信息构成的第3矩阵的关系的方程式,针对所述多个机构的各个决定所述目标驱动量;驱动工序,按照在所述决定工序中决定的所述目标驱动量驱动所述多个机构的各个。

    曝光装置、图案形成装置以及曝光方法

    公开(公告)号:CN113495437A

    公开(公告)日:2021-10-12

    申请号:CN202110353498.X

    申请日:2021-04-01

    Abstract: 本发明涉及曝光装置、图案形成装置以及曝光方法。抑制MMG技术中的图案的形成精度降低。在基板上对第1图案进行扫描曝光的曝光装置具有:标记形成部,在基板上形成多个对准标记;第1测量部,测量由标记形成部形成的多个对准标记的位置;以及输出部,输出由第1测量部测量的对准标记的位置信息,使得能够在对第2图案进行曝光的另一个曝光装置中利用,标记形成部在第1基板位置形成包括至少2个对准标记的第1标记组之后,在使基板在包括与连接第1标记组的2个对准标记的直线垂直的分量的方向上移动后的第2基板位置形成包括至少2个对准标记的第2标记组,在使基板从第1基板位置向第2基板位置移动的方向上对第1图案进行扫描曝光。

    测量方法、曝光方法、物品的制造方法以及存储介质

    公开(公告)号:CN113267966A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110176658.8

    申请日:2021-02-07

    Abstract: 本发明涉及测量方法、曝光方法、物品的制造方法及存储介质。测量方法对形成于应转印原版图案的基板上的拍摄区域的多个测量标记进行测量,具有:针对至少1个基板,基于执行对形成于基板上的拍摄区域的多个测量标记中第1数量的测量标记进行测量的第1测量模式而得的第1数量测量标记的测量值,计算与拍摄区域的位置相关的第1位置信息;在设为测量比第1数量少的第2数量的测量标记时,基于第1位置信息针对计算与拍摄区域位置相关的位置信息的多个模型,预测第2位置信息;根据第2位置信息求出评价多个模型的各模型的多个第1评价值;基于与多个第1评价值中满足评价基准的第1评价值对应的模型,将测量模式从第1测量模式转变为第2测量模式。

    决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法

    公开(公告)号:CN111338186A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201911278438.5

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法,决定用于接合曝光的关于基板的第1拍摄区及第2拍摄区的对位的校正量,接合曝光对第1拍摄区曝光形成第1像,对与第1拍摄区的一部分重复的第2拍摄区曝光形成第2像,得到叠接第1像和第2像的像,求出用于上下层的重叠的重叠标志间的位置偏移量即第1位置偏移量,求出用于第1拍摄区和第2拍摄区的对位的接合位置测量标志间的位置偏移量即第2位置偏移量,将第1位置偏移量加上预定比例的第2位置偏移量的位置偏移量决定为第1拍摄区和第2拍摄区重复的接合区域中的第1像的校正量,将从第1位置偏移量减相对预定比例的剩余比例的第2位置偏移量的位置偏移量决定为接合区域中的第2像的校正量。

    曝光装置、曝光方法以及物品的制造方法

    公开(公告)号:CN115774379A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211094890.8

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明涉及曝光装置、曝光方法以及物品的制造方法。一种曝光装置,在形成有第1层的基板上重叠地曝光第2层的图案,该第1层包含包括由透射过原版的图案形成区域的光形成的第1图案的第1图案区域和包括由透射过原版的图案形成区域的一部分的区域的光形成的第2图案的第2图案区域,所述曝光装置具有:检测部,检测对准标记;以及控制部,控制原版和基板的对位,所述控制部根据包括用于求取第1图案区域和第2图案区域的位置偏移的对准标记的多个对准标记的检测结果,为了第2层中的图案形成,控制原版和基板的对位。

    决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法

    公开(公告)号:CN111338186B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201911278438.5

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法,决定用于接合曝光的关于基板的第1拍摄区及第2拍摄区的对位的校正量,接合曝光对第1拍摄区曝光形成第1像,对与第1拍摄区的一部分重复的第2拍摄区曝光形成第2像,得到叠接第1像和第2像的像,求出用于上下层的重叠的重叠标志间的位置偏移量即第1位置偏移量,求出用于第1拍摄区和第2拍摄区的对位的接合位置测量标志间的位置偏移量即第2位置偏移量,将第1位置偏移量加上预定比例的第2位置偏移量的位置偏移量决定为第1拍摄区和第2拍摄区重复的接合区域中的第1像的校正量,将从第1位置偏移量减相对预定比例的剩余比例的第2位置偏移量的位置偏移量决定为接合区域中的第2像的校正量。

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