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公开(公告)号:CN110347015A
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201910263549.2
申请日:2019-04-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元,以及控制单元,该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前,控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理,以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。
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公开(公告)号:CN112147857A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN202010586039.1
申请日:2020-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F9/00
Abstract: 本公开涉及图案形成方法以及物品的制造方法。一种图案形成方法,在基板上的1层形成多个图案,所述图案形成方法包括:第1测量工序,分别测量形成在所述基板上的多个标记;第1形成工序,在所述基板上的1层形成第1图案;第2测量工序,测量所述多个标记中的至少一部分标记;以及第2形成工序,在根据第1测量工序中的测量结果和所述第2测量工序中的测量结果而决定的位置形成第2图案,在所述第2测量工序中,在与所述第1测量工序中的测量结果对应的测量条件下进行所述标记的测量。
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公开(公告)号:CN117192906A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202310645481.0
申请日:2023-06-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及管理方法、曝光装置、曝光系统以及物品制造方法。提供关于在再利用所复制的作业的情况下的参数的调整上在工时方面有利的技术。管理对基板进行曝光的曝光装置中的曝光作业的管理方法具有:从其他曝光装置接收包含依赖于该其他曝光装置的装置特性的第1参数和不依赖于该装置特性而依赖于过程的第2参数的曝光作业的工序;基于预先得到的所述曝光装置可曝光的区域的全部区域的失真数据,计算出依赖于所述曝光装置的装置特性的第3参数的工序;以及通过将接收到的所述曝光作业中的所述第1参数置换为所述第3参数,得到在所述曝光装置中使用的曝光作业的工序。
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公开(公告)号:CN114488709A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202210113165.4
申请日:2019-04-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元,以及控制单元,该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前,控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理,以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。
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公开(公告)号:CN110347015B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN201910263549.2
申请日:2019-04-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元,以及控制单元,该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前,控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理,以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。
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公开(公告)号:CN114488709B
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202210113165.4
申请日:2019-04-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元,以及控制单元,该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前,控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理,以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。
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公开(公告)号:CN115343922A
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202210504564.3
申请日:2022-05-10
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及求取基板的形状的方法、曝光方法、曝光装置、物品的制造方法以及存储介质。提供一种求取基板的形状的方法,其特征在于,具有:针对根据分配给多个第1基板中的每个第1基板的多个标记中的第1数量的标记的第1位置测量数据决定的所述多个第1基板中的每个第1基板所属的每个组,求取代表性地表示属于该组的第1基板的形状的代表数据的工序;以及根据分配给与所述多个第1基板不同的第2基板的多个标记中的比所述第1数量小的第2数量的标记的第2位置测量数据、以及与根据所述第2位置测量数据决定的所述第2基板所属的组对应的所述代表数据,求取表示所述第2基板的形状的形状数据的工序。
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