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公开(公告)号：CN102610714B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210083214.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高AlxGa(1-x)As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度的SiO2薄膜而实现的。利用本发明，既能提高AlxGa(1-x)As氧化层的热稳定性，减少后续高温退火过程对器件表面的损伤，同时减少了工艺步骤，使器件的制备成本下降；又能阻止GaAs盖层的氧化，使量子点的发光性质基本不受影响。这些优点为高性能光电子器件的制备提供了基础。
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公开(公告)号：CN101881856B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910083495.8
申请日：2009-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法，包括如下步骤：A、制作GaAs基二维光子晶体；B、将GaAs基二维光子晶体置于过氧化氢中氧化，在GaAs表面形成一定厚度的氧化层薄膜；C、在常温下用质量浓度为18％的盐酸溶液腐蚀GaAs基二维光子晶体表面层的氧化层，用微区PL光谱测量光子晶体的微腔模式的变化；D、重复步骤B和C，直至获得光子晶体微腔模式与量子点发光波长相等，产生共振，停止腐蚀。利用本发明，通过精确调节光子晶体孔洞的方法可以达到准确控制光子晶体微腔模式的目的，同时通过化学腐蚀可以改善孔洞侧壁的平滑度，提高光子晶体微腔的品质因子。
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公开(公告)号：CN101881856A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910083495.8
申请日：2009-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法，包括如下步骤：A、制作GaAs基二维光子晶体；B、将GaAs基二维光子晶体置于过氧化氢中氧化，在GaAs表面形成一定厚度的氧化层薄膜；C、在常温下用质量浓度为18％的盐酸溶液腐蚀GaAs基二维光子晶体表面层的氧化层，用微区PL光谱测量光子晶体的微腔模式的变化；D、重复步骤B和C，直至获得光子晶体微腔模式与量子点发光波长相等，产生共振，停止腐蚀。利用本发明，通过精确调节光子晶体孔洞的方法可以达到准确控制光子晶体微腔模式的目的，同时通过化学腐蚀可以改善孔洞侧壁的平滑度，提高光子晶体微腔的品质因子。
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公开(公告)号：CN101540357B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810102198.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
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公开(公告)号：CN101540357A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102198.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137789A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310032256.6
申请日：2013-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；步骤5：将退火后的衬底升温；步骤6：二次淀积生长InAs层；步骤7：在二次淀积生长的InAs层上淀积生长GaAs盖层，得到低密度、长波长InAs/GaAs量子点结构。本发明具有密度低、室温发光波长超过1.3μm的InAs/GaAs量子点。
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公开(公告)号：CN101740655A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910242347.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。
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公开(公告)号：CN101212125A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169748.X
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；步骤5：调节外接电源的输出电压，使管芯的外接偏置电压按步长L增加；步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4。
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公开(公告)号：CN1892986A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012105.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。
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公开(公告)号：CN101195743A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610164880.1
申请日：2006-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K11/74
Abstract: 本发明一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层沉积在衬底，它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来；一绝缘层，该绝缘层沉积在缓冲层上；一量子点注入层，该量子点注入层沉积在绝缘层30上，它具有良好的发光性质；一表面盖层，该表面盖层沉积在量子点注入层上。
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