-
公开(公告)号：CN101540357B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810102198.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
-
公开(公告)号：CN101540357A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102198.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
-
公开(公告)号：CN1978714A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126237.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温；步骤4：将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值；步骤5：按转化时间与转化而成的白磷量经验公式，计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间，外延出高性能磷化铟材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100452584C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510086962.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。
-
公开(公告)号：CN101271933A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710064588.7
申请日：2007-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在半绝缘GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上的一侧，在GaAs底接触层上的另一侧形成一台面；一10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层制作在下GaAs隔离层上，该10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层是形成光电流并最终实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层上；一上电极制作在GaAs顶接触层上的中间部位，该上电极可以实现探测器进行外加电压；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以实现探测器进行外加电压。
-
公开(公告)号：CN1972047A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510086962.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。
-
公开(公告)号：CN100420776C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510126237.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温；步骤4：将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值；步骤5：按转化时间与转化而成的白磷量经验公式，计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间，外延出高性能磷化铟材料。
-
公开(公告)号：CN101212125A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169748.X
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；步骤5：调节外接电源的输出电压，使管芯的外接偏置电压按步长L增加；步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
