公开(公告)号：CN102610714A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210083214.0

申请日：2012-03-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周文飞 ,  徐波 ,  叶小玲 ,  张世著 ,  王占国

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高AlxGa(1-x)As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度的SiO2薄膜而实现的。利用本发明，既能提高AlxGa(1-x)As氧化层的热稳定性，减少后续高温退火过程对器件表面的损伤，同时减少了工艺步骤，使器件的制备成本下降；又能阻止GaAs盖层的氧化，使量子点的发光性质基本不受影响。这些优点为高性能光电子器件的制备提供了基础。

公开(公告)号：CN102610714B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210083214.0

申请日：2012-03-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周文飞 ,  徐波 ,  叶小玲 ,  张世著 ,  王占国

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高AlxGa(1-x)As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度的SiO2薄膜而实现的。利用本发明，既能提高AlxGa(1-x)As氧化层的热稳定性，减少后续高温退火过程对器件表面的损伤，同时减少了工艺步骤，使器件的制备成本下降；又能阻止GaAs盖层的氧化，使量子点的发光性质基本不受影响。这些优点为高性能光电子器件的制备提供了基础。

公开(公告)号：CN103137789A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310032256.6

申请日：2013-01-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张世著 ,  叶小玲 ,  徐波 ,  王占国

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；步骤5：将退火后的衬底升温；步骤6：二次淀积生长InAs层；步骤7：在二次淀积生长的InAs层上淀积生长GaAs盖层，得到低密度、长波长InAs/GaAs量子点结构。本发明具有密度低、室温发光波长超过1.3μm的InAs/GaAs量子点。