公开(公告)号：CN101145590A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200610112934.X

申请日：2006-09-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 焦玉恒 ,  吴巨 ,  徐波 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种量子点材料结构，该结构包括：用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓GaAs衬底(10)；在GaAs衬底(10)上生长的外延层结构，包括缓冲层(11、12、13)和InAs量子点层(14)；其中，所述缓冲层包括在衬底上依次生长的GaAs缓冲层(11)、InxGa1－xAs阶变缓冲层(12)和InyGa1－yAs单一成分层(13)，InAs量子点层(14)生长在InyGa1－yAs单一成分层(13)之上。本发明同时公开了一种量子点材料结构的生长方法。利用本发明，实现利用简单的工艺制备大面积的有序分布的量子点，工艺简单，不需要生长前对基体进行特殊处理工艺，与分子束外延工艺完全兼容。同时易于大面积制备有序排列的自组织量子点阵列材料，对于量子点材料在未来量子器件中的应用具有重要的意义。

公开(公告)号：CN100399509C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510012105.X

申请日：2005-07-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王元立 ,  吴巨 ,  金鹏 ,  叶小玲 ,  张春玲 ,  黄秀颀 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。

公开(公告)号：CN1929154A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200510086372.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴巨 ,  王宝强 ,  朱战平 ,  曾一平

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/30

Abstract: 一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。

公开(公告)号：CN1892986A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510012105.X

申请日：2005-07-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王元立 ,  吴巨 ,  金鹏 ,  叶小玲 ,  张春玲 ,  黄秀颀 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。