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公开(公告)号：CN101894876B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010191861.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 一种量子级联探测器结构，包括：一衬底；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底上，该下欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一势垒隔离层，该势垒隔离层制作在下欧姆接触层上的中间部位，使下欧姆接触层的四周形成台面，该势垒隔离层不掺杂；一多周期的有源区结构层，该多周期的有源区结构层制作在势垒隔离层上，该多周期的有源区结构层是实现探测器的探测光电流的核心部位；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在多周期的有源区结构层上，该上欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极，该上电极制作在上欧姆接触层上；一下电极，该下电极做在下欧姆接触层四周的台面上。
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公开(公告)号：CN101740655A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910242347.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。
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公开(公告)号：CN101740655B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910242347.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。
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公开(公告)号：CN101894876A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010191861.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 一种量子级联探测器结构，包括：一衬底；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底上，该下欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一势垒隔离层，该势垒隔离层制作在下欧姆接触层上的中间部位，使下欧姆接触层的四周形成台面，该势垒隔离层不掺杂；一多周期的有源区结构层，该多周期的有源区结构层制作在势垒隔离层上，该多周期的有源区结构层是实现探测器的探测光电流的核心部位；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在多周期的有源区结构层上，该上欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极，该上电极制作在上欧姆接触层上；一下电极，该下电极做在下欧姆接触层四周的台面上。
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