公开(公告)号：CN100373534C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410069295.4

申请日：2004-07-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈涌海 ,  张春玲 ,  崔草香 ,  徐波 ,  金鹏 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/34 ,  B82B3/00

Abstract: 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。

公开(公告)号：CN1725436A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200410069295.4

申请日：2004-07-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈涌海 ,  张春玲 ,  崔草香 ,  徐波 ,  金鹏 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/34 ,  B82B3/00

Abstract: 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。

公开(公告)号：CN1892986A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510012105.X

申请日：2005-07-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王元立 ,  吴巨 ,  金鹏 ,  叶小玲 ,  张春玲 ,  黄秀颀 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。

公开(公告)号：CN100399509C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510012105.X

申请日：2005-07-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王元立 ,  吴巨 ,  金鹏 ,  叶小玲 ,  张春玲 ,  黄秀颀 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。