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发明公开
具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法无效

公开(公告)号：CN101195743A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200610164880.1

申请日：2006-12-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 胡良均 , 陈涌海 , 叶小玲 , 王占国

IPC: C09K11/74

Abstract: 本发明一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层沉积在衬底，它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来；一绝缘层，该绝缘层沉积在缓冲层上；一量子点注入层，该量子点注入层沉积在绝缘层30上，它具有良好的发光性质；一表面盖层，该表面盖层沉积在量子点注入层上。

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