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公开(公告)号：CN111826634B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010735303.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明提供一种使用偏压成核半导体膜生长装置及制备方法，包括：衬底；气源，用于向衬底表面提供反应气体；微波源，用于向衬底表面提供微波，以使反应气体电离；天线单元阵列，包括多个具有独立电压的天线单元，用于向衬底表面多个位置独立放电，以使电离后的气体在天线单元放电端形成等离子体球，进而沉积在衬底表面形成半导体膜层。本发明提供的方法能够大幅增强半导体膜成核密度，实现衬底在大面积区域上等离子体密度基本一致，最终实现大面积高质量的半导体膜层外延生长。
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公开(公告)号：CN111048404B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201911360215.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 天津市海杰金属制品制造有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种缓冲层结构，包括：衬底；氧化物缓冲层，形成于衬底之上；氧化铱层，形成于所述氧化物缓冲层之上；铂族金属籽晶层，形成于所述氧化铱层之上；铂族金属层，形成于所述铂族金属籽晶层之上。采用碳化硅、硅以及蓝宝石等作为衬底，制备加工流程与当前半导体工艺相融合，衬底尺寸选择范围广，工艺稳定性高，可更好的满足后续要求；氧化铱的存在既降低了相邻薄膜晶体失配程度，又作为阻挡层抑制了铂族金属与氧化物缓冲层的固相反应，从而有效提高铂族金属的质量；原位制备籽晶层，避免了氧化物与空气中的氧气、水蒸气等反应，使得薄膜表面维持较好的状态，降低了后续制备铂族金属层的难度。
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公开(公告)号：CN114775043A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210420002.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN112899659B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110072158.X
申请日：2021-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种用于等离子体化学气相的样品支架，包括：水冷铜台(8)和导电电极(7)，所述水冷铜台(8)中间开孔以容纳所述导电电极(7)；依次设置于所述水冷铜台(8)的绝缘层(5)、第五导电支架(11)、第三导电支架(4)、第四导电支架(10)、第二导电支架(3)和第一导电支架(2)，所述第一导电支架(2)用于承载样品(1)。该样品支架还包括导电定位环(12)、铜环(9)和绝缘环(6)。本发明通过多层导电支架及绝缘层的设计，实现对样品施加偏压以及在较低功率气压下达到较高的温度。
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公开(公告)号：CN111826634A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010735303.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明提供一种使用偏压成核半导体膜生长装置及制备方法，包括：衬底；气源，用于向衬底表面提供反应气体；微波源，用于向衬底表面提供微波，以使反应气体电离；天线单元阵列，包括多个具有独立电压的天线单元，用于向衬底表面多个位置独立放电，以使电离后的气体在天线单元放电端形成等离子体球，进而沉积在衬底表面形成半导体膜层。本发明提供的方法能够大幅增强半导体膜成核密度，实现衬底在大面积区域上等离子体密度基本一致，最终实现大面积高质量的半导体膜层外延生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107589360B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710756755.8
申请日：2017-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体测试装置及方法，半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片，第一金属片与第二金属片相对设置，用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端，第二金属片接地，电源与该第一金属片相连，为设置在该第一金属片及第二金属片之间的待测半导体提供电压。第一金属片开设有通孔，激光器发出的激光穿过该通孔抵达设置在该第一金属片与第二金属片之间的待测半导体，进而激发该待测半导体产生瞬态光电流并通过电流输出端输出。其中，该瞬态光电流用于计算该待测半导体的载流子迁移率。如此，可以不必在每次测试时进行金属电镀、光刻等复杂工艺，提高了测试的便捷性。
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公开(公告)号：CN103578977B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310585868.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N2氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN外延薄膜的荧光强度。
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公开(公告)号：CN105845796A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610222440.0
申请日：2016-04-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007
Abstract: 一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法，该用于AlGaN光电器件的多量子阱结构包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。本发明其可以提高多量子阱光电器件的内量子效率。
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公开(公告)号：CN104460223A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410815582.9
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法。该掩模板包括：第一条形图案；以及辅助对准窗口，为与所述第一条形图案垂直的条形图案；其中，所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案，在曝光之前，通过所述辅助对准窗口可观察所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的对准情况。本发明能够借助辅助对准窗口观察第一条形图案是否与下方半导体基体上的第二条形图案对准，方便了两者位置的修正，从而达到提高对版精度和研发效率。
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公开(公告)号：CN103806104A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410056560.9
申请日：2014-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlGaN连续渐变缓冲层或AlGaN/AlN或AlGaN/GaN超晶格缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlGaN薄膜。本发明通过优化缓冲层设计，能够有效降低传统AlN缓冲层带来的高位错影响。减小高Al组分AlGaN与GaN缓冲层的晶格失配影响，改善AlGaN外延薄膜质量。
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