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公开(公告)号：CN102623523B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210086429.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上；一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上；一Al0.2Ga0.8As势垒层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs点-阱结构层制作在Al0.2Ga0.8As势垒层上；一组分渐变AlGaAs层制作在3～10周期点-阱结构上；一上GaAs隔离层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构层制作在上GaAs隔离层上；一GaAs顶接触层制作在3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构上；一上电极制作在GaAs顶接触层上，收集并输出光电流信号；一下电极制作在GaAs底接触层台面上，与上电极一起给探测器加偏压。
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公开(公告)号：CN101740655B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910242347.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。
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公开(公告)号：CN106695554A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710048549.1
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B24B41/06
Abstract: 本发明提供了一种磨抛夹具，包括：限位柱套、N个固定柱和M个限位柱；限位柱套的内部开有N个贯穿限位柱套的固定孔；N个固定柱分别安装在所述固定孔中，其直径与所述固定孔的直径相匹配，并可在所述固定孔内上下滑动和自由转动；所述固定柱下方设置至少三个限位柱，其中，所述限位柱设置在相应固定柱的下端平面上，其延伸方向与固定柱的下端平面垂直；其中，磨抛产品夹设于其中之一的固定柱下方至少三个限位柱之间。该磨抛夹具可以根据单管芯激光二极管的尺寸变化自由调节，使用简单方便；该磨抛夹具还可以对多个磨抛产品同时进行磨抛，磨抛效率高，并且可以达到很好的磨抛均匀性。
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公开(公告)号：CN101740655A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910242347.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。
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公开(公告)号：CN118367430A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410538737.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明提供了一种大功率半导体激光器真空解理装置，涉及半导体解理技术领域。该装置包括：框架；解理托装置，设于框架上，用于承托待解理的半导体外延片，其中，半导体外延片的P面预先制备有多道划痕；解理台装置，设于框架上，用于放置半导体外延片；解理刀装置，设于解理台装置的上方，用于通过划痕解理半导体外延片；其中，框架、解理托装置、解理台装置以及解理刀装置被置于超真空环境中，解理台装置位置固定，解理托装置和解理刀装置相对于解理台装置的位置可实现自动化调节，通过调节解理托装置和解理刀装置的位置，使解理刀装置对准半导体外延片的划痕，对半导体外延片进行解理，得到带F‑P腔面的bar条。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064472B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201010591575.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子-空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层制作在上波导层上；一欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。
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公开(公告)号：CN108360047B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810324671.1
申请日：2018-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种电镀夹具，包括：一下片，用于放置待镀铟件，中间有一第一矩形方口，第一矩形方口的第二长边上设置有电极，第一矩形方口的第一长边上设置有一导轨，用于支撑待镀铟件；一中片，所述中片为L形，所述L形的长边对应所述下片的第一矩形方口的第二长边一侧，所述L形的短边对应所述下片的第一矩形方口的第二短边一侧；一上片，所述上片的中间设置有一第二矩形方口，与所述第一矩形方口的位置对应；所述中片、第一滑块和第二滑块设置于上片、下片之间，并与上片、下片固定连接，第一滑块和第二滑块用于挤紧固定待电镀件。该夹具可兼容不同尺寸和不同形状的样品，实现同时对多个待镀件进行电镀，电镀效率高，并且可以达到很好的电镀均匀性。
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公开(公告)号：CN106695554B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710048549.1
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B24B41/06
Abstract: 本发明提供了一种磨抛夹具，包括：限位柱套、N个固定柱和M个限位柱；限位柱套的内部开有N个贯穿限位柱套的固定孔；N个固定柱分别安装在所述固定孔中，其直径与所述固定孔的直径相匹配，并可在所述固定孔内上下滑动和自由转动；所述固定柱下方设置至少三个限位柱，其中，所述限位柱设置在相应固定柱的下端平面上，其延伸方向与固定柱的下端平面垂直；其中，磨抛产品夹设于其中之一的固定柱下方至少三个限位柱之间。该磨抛夹具可以根据单管芯激光二极管的尺寸变化自由调节，使用简单方便；该磨抛夹具还可以对多个磨抛产品同时进行磨抛，磨抛效率高，并且可以达到很好的磨抛均匀性。
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公开(公告)号：CN108360047A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810324671.1
申请日：2018-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种电镀夹具，包括：一下片，用于放置待镀铟件，中间有一第一矩形方口，第一矩形方口的第二长边上设置有电极，第一矩形方口的第一长边上设置有一导轨，用于支撑待镀铟件；一中片，所述中片为L形，所述L形的长边对应所述下片的第一矩形方口的第二长边一侧，所述L形的短边对应所述下片的第一矩形方口的第二短边一侧；一上片，所述上片的中间设置有一第二矩形方口，与所述第一矩形方口的位置对应；所述中片、第一滑块和第二滑块设置于上片、下片之间，并与上片、下片固定连接，第一滑块和第二滑块用于挤紧固定待电镀件。该夹具可兼容不同尺寸和不同形状的样品，实现同时对多个待镀件进行电镀，电镀效率高，并且可以达到很好的电镀均匀性。
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公开(公告)号：CN105628984A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610181719.9
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R1/04
CPC classification number: G01R1/0425
Abstract: 一种用于单管芯激光二极管的测试老化夹具，包括：一水座，其上表面有一个定位凹槽，该水座两端开有入水口和出水口；一底座，其上有施压片，施压片的一端有两个施压杆；一施压模块，其主体呈U形结构，施压模块主要由两部分组成，施压杆和固定杆，固定杆主体为U型结构，其上有操作杆和固定孔，施压杆由定位杆、横轴、横梁、压力作用杆、操作杆组成，定位杆通过底部的固定孔固定在水座上，定位杆上端开有通孔，用于支撑横轴，横轴用于支撑施压杆的横梁，横梁另一端开一U型槽，用于放置固定杆，横梁中部有一固定孔，用于放置压力作用杆，压力作用杆呈上端细，下端粗，细杆上固定一弹簧，弹簧的作用是施加压力时施压横梁可以下移到设定位置。
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