公开(公告)号：CN101740655A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910242347.6

申请日：2009-12-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 唐光华 ,  徐波 ,  叶小玲 ,  金鹏 ,  刘峰奇 ,  陈涌海 ,  王占国 ,  姜立稳 ,  孔金霞 ,  孔宁

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。

公开(公告)号：CN101740655B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200910242347.6

申请日：2009-12-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 唐光华 ,  徐波 ,  叶小玲 ,  金鹏 ,  刘峰奇 ,  陈涌海 ,  王占国 ,  姜立稳 ,  孔金霞 ,  孔宁

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。