公开(公告)号：CN102610714A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210083214.0

申请日：2012-03-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周文飞 ,  徐波 ,  叶小玲 ,  张世著 ,  王占国

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高AlxGa(1-x)As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度的SiO2薄膜而实现的。利用本发明，既能提高AlxGa(1-x)As氧化层的热稳定性，减少后续高温退火过程对器件表面的损伤，同时减少了工艺步骤，使器件的制备成本下降；又能阻止GaAs盖层的氧化，使量子点的发光性质基本不受影响。这些优点为高性能光电子器件的制备提供了基础。

公开(公告)号：CN102610714B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210083214.0

申请日：2012-03-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周文飞 ,  徐波 ,  叶小玲 ,  张世著 ,  王占国

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高AlxGa(1-x)As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度的SiO2薄膜而实现的。利用本发明，既能提高AlxGa(1-x)As氧化层的热稳定性，减少后续高温退火过程对器件表面的损伤，同时减少了工艺步骤，使器件的制备成本下降；又能阻止GaAs盖层的氧化，使量子点的发光性质基本不受影响。这些优点为高性能光电子器件的制备提供了基础。