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公开(公告)号：CN100364063C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410049950.X
申请日：2004-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/30 , H01L21/00 , H01L33/00
Abstract: 本发明一种电化学腐蚀制备多孔磷化铟半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将磷化铟基片(11)解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；步骤2：然后去除磷化铟基片表面的氧化层；步骤3：再进行电化学池(2)的安装；步骤4：之后通氮气15分钟；步骤5：最后通电进行腐蚀，得到有规则的四边形，孔壁为竖直的蜂窝状结构的多孔磷化铟形貌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1824833A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510011351.3
申请日：2005-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23F1/16
Abstract: 一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；步骤2：将多孔磷化铟材料浸泡在权利要求1所述的该混合溶液中；步骤3：腐蚀掉多孔磷化铟表面的阻挡层以及部分多孔磷化铟层，将多孔磷化铟材料减薄。
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公开(公告)号：CN1892986A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012105.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。
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公开(公告)号：CN100399509C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510012105.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。
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公开(公告)号：CN1824602A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510009600.5
申请日：2005-02-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤B：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤C：在缓冲层上生长量子线和间隔层；步骤D：重复步骤C3～7次，以生长多周期量子线结构，提高量子线的尺寸和空间均匀性；步骤E：在生长多周期量子线结构之后，生长盖帽层以保护所生长的材料，完成量子线阵列的制备。
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公开(公告)号：CN1713357A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410049950.X
申请日：2004-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/30 , H01L21/00 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及多孔半导体材料技术领域的一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法。电化学池的材料是聚四氟乙烯，主要包括箱体、侧盖、盲板、上盖四部分，其中箱体用来盛装电解液，侧盖与盲板用来固定工作电极，上盖用来导入铂辅助电极、参比电极以及氮气管。采用三电极的电化学体系，该三电极分别是辅助电极、参比电极、工作电极。电化学腐蚀工艺方法包括如下步骤：(A)磷化铟基片解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；(B)然后去除磷化铟基片表面的氧化层；(C)再进行电化学池的安装；(D)之后通氮气15分钟；(E)最后施加电压进行腐蚀。本发明适用于多孔磷化铟或砷化镓阵列等多孔半导体材料的制备。
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