TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备

    公开(公告)号:CN110600390B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201910703529.2

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备;所述方法包括在第一个温度循环周期内,通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流;第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期;在初始漏电流小于或等于预设值时,控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压,并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流;在当前漏电流满足失效判据时,获取电源设备调节电压的总时长,并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间,实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能,实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。

    TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备

    公开(公告)号:CN110600390A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910703529.2

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备;所述方法包括在第一个温度循环周期内,通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流;第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期;在初始漏电流小于或等于预设值时,控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压,并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流;在当前漏电流满足失效判据时,获取电源设备调节电压的总时长,并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间,实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能,实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。

    电子元器件测试方法、装置、系统和存储介质

    公开(公告)号:CN109596914A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811416586.4

    申请日:2018-11-26

    CPC classification number: G01R31/001

    Abstract: 本申请涉及一种电子元器件测试方法、装置、系统和存储介质。所述方法包括:在预设周期到来时,向信号采集设备发送同步信号,并接收信号采集设备基于同步信号反馈的各光信号;预设周期为用于传输给待测电子元器件的脉冲信号的脉冲周期;同步信号用于指示信号采集设备在相应的预设采集时长内、对待测电子元器件进行光信号采集;对各光信号进行叠加处理,并依据叠加的结果定位待测电子元器件的静电放电通道,因此,本申请电子元器件测试方法能够准确地采集待测电子元器件的光信号,避免了噪声过大而导致的难于分辨有效光信号的问题,通过准确采集的光信号实现待测电子元器件的静电放电通道的精确定位,以为改善电子元器件的设计提供测试基础。

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