一种芯片的加工方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110211876B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201910351680.4

    申请日:2019-04-28

    Abstract: 本申请提供了一种芯片的加工方法,涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法,通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后,可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度,通过这样的物理减薄,避免先减薄后焊接的操作流程中,重新焊接芯片带来的芯片变形等情况,同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子,也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试,降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。

    一种芯片的加工方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110211876A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910351680.4

    申请日:2019-04-28

    Abstract: 本申请提供了一种芯片的加工方法,涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法,通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后,可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度,通过这样的物理减薄,避免先减薄后焊接的操作流程中,重新焊接芯片带来的芯片变形等情况,同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子,也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试,降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。

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