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公开(公告)号:CN114438579A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202111583797.9
申请日:2021-12-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及电池技术领域,具体而言,涉及一种铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池。铜箔粗化液,包括以下浓度的各组分:锌离子源50g/L~120g/L,氯离子源50g/L~120g/L,导电盐75g/L~120g/L,及pH调节剂,pH调节剂维持铜箔粗化液的pH值在4.5~5。在铜箔粗化液作为溶液的基础上,通过连续的正扫和负扫及即可实现Zn2+不断在铜箔表面的沉积、扩散和溶解,实现了铜箔表面粗糙度的调制,提高了铜箔与树脂基材的结合力。
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公开(公告)号:CN116598199A
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202211675974.0
申请日:2022-12-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种正装封装芯片的背面减薄方法,通过从芯片背后去挖孔、露出芯片背面进行减薄,集成激光刻蚀、区域研磨、精细抛光等多种制样技术,分别去除芯片背部的多种材料,解决芯片背面各种材料的去除问题。同时采用温度监测及制冷装置,对芯片制冷,将芯片温度控制在常温,解决减薄过程中产生的热量对芯片的影响问题。进一步地,对于带空腔的正装封装,注入环氧树脂并固封,形成保护层为芯片提供支撑,解决去除各种材料时芯片的受力问题。
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公开(公告)号:CN116598199B
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202211675974.0
申请日:2022-12-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种正装封装芯片的背面减薄方法,通过从芯片背后去挖孔、露出芯片背面进行减薄,集成激光刻蚀、区域研磨、精细抛光等多种制样技术,分别去除芯片背部的多种材料,解决芯片背面各种材料的去除问题。同时采用温度监测及制冷装置,对芯片制冷,将芯片温度控制在常温,解决减薄过程中产生的热量对芯片的影响问题。进一步地,对于带空腔的正装封装,注入环氧树脂并固封,形成保护层为芯片提供支撑,解决去除各种材料时芯片的受力问题。
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公开(公告)号:CN114438579B
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202111583797.9
申请日:2021-12-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及电池技术领域,具体而言,涉及一种铜箔粗化液、单面粗化铜箔及其制备方法、集流体及电池。铜箔粗化液,包括以下浓度的各组分:锌离子源50g/L~120g/L,氯离子源50g/L~120g/L,导电盐75g/L~120g/L,及pH调节剂,pH调节剂维持铜箔粗化液的pH值在4.5~5。在铜箔粗化液作为溶液的基础上,通过连续的正扫和负扫及即可实现Zn2+不断在铜箔表面的沉积、扩散和溶解,实现了铜箔表面粗糙度的调制,提高了铜箔与树脂基材的结合力。
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公开(公告)号:CN114579375A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202210110903.X
申请日:2022-01-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/22
Abstract: 本申请涉及一种电路板质量检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:获取所述电路板在第一预设电流激励下的测量电阻;控制降温装置对所述电路板降温处理直至所述测量电阻等于初始电阻;根据所述测量电阻及所述初始电阻计算电阻变化率;若所述电阻变化率小于或等于预设变化率,则重复测量所述电阻变化率的步骤直至检测次数等于预设次数。采用本方法能够通过电流激励电路板模拟电路板在实际使用中由于电流产生的热源而造成的热胀现象,再通过控制降温装置对所述电路板降温模拟实际应用中由于不恒定电流造成的冷缩现象,最后通过计算电阻变化率判断所述电路板在一定次数内的热胀冷缩后的质量是否优良。
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