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公开(公告)号：CN104205306B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201280071768.7
申请日：2012-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/4401 , H01J37/32192 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01J37/32862 , H01L21/32137 , Y10T29/49998
Abstract: 包括：在将被处理基体搬入处理容器内之前，对在该处理容器内静电吸附被处理基体的静电卡盘施加电压的工序；和在对静电卡盘施加电压的工序之后，向处理容器内搬入被处理基体的工序。另外，在对静电卡盘施加电压的工序中，对静电卡盘施加电压，使以包围静电卡盘的方式设置的聚焦环与被处理基体之间的电位差降低。
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公开(公告)号：CN102760632B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210125069.8
申请日：2012-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。
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公开(公告)号：CN110491769B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910387938.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , G06F17/14
Abstract: 本发明提供一种能够更准确地驱动部件的部件的驱动方法。本发明提供一种设置于处理室内的部件的驱动方法，其包括：对上述部件照射具有能够透过上述部件的波长的测量光的步骤；基于来自上述部件的正面的反射光和来自上述部件的背面的反射光，来检测反射光的强度分布的步骤；对表示上述强度分布的光谱进行傅里叶变换来计算光程差的步骤；基于上述光程差来决定上述部件的驱动量的步骤；和基于决定出的上述驱动量驱动上述部件的步骤。
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公开(公告)号：CN115732306A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211046376.7
申请日：2022-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 谷川雄洋
Abstract: 本发明要解决的技术问题是抑制异常放电的发生。本发明提供等离子体处理装置和异常放电抑制方法。腔室能够在其内部实施等离子体处理。载置台配置在腔室内，能够载置基片并且在基片的周围载置环组件。固定部设置在载置台，能够将基片和环组件中的至少一者固定在载置台上。传热气体供给部能够向基片和环组件中的至少一者与载置台之间供给传热气体。RF电源能够向腔室内供给等离子体生成用的RF信号。控制部能够进行控制，使得在将基片和环组件中的至少一者载置在载置台上时，在对基片实施等离子体处理之前，从传热气体供给部供给的传热气体的压力低于对基片实施等离子体处理时从传热气体供给部供给的传热气体的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104054163B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280066942.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/4916 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659
Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN104054163A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280066942.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/4916 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659
Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN112585729B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980054831.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/50 , H05H1/46
Abstract: 例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。
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公开(公告)号：CN109103089B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201810644337.4
申请日：2018-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供在腔室内的构件的表面更均匀地形成致密的保护膜的等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法包括供给工序和成膜工序。在供给工序中，向腔室内供给混合气体，所述混合气体包含：含有硅元素和卤元素的化合物气体、含氧气体、以及包含与化合物气体中包含的卤元素相同种类的卤元素且不包含硅元素的添加气体。在成膜工序中，利用混合气体的等离子体，在腔室内的构件的表面形成保护膜。
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公开(公告)号：CN111986972A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010384849.9
申请日：2020-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触，且搭载在该球状面上。根据本发明，能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。
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