公开(公告)号：CN112585729A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980054831.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  谷川雄洋 ,  山边周平 ,  町田裕贵 ,  郑俊泳

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

Abstract: 例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。

公开(公告)号：CN112103166A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010530936.0

申请日：2020-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  郑俊泳 ,  山边周平 ,  山口景一 ,  谷川雄洋

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种热响应性提高的基板处理装置。一种基板处理装置，其具有：腔室，其是具有等离子体处理空间的腔室，所述腔室的侧壁具有用于向所述等离子体处理空间内输送基板的开口部；和开闭器，其配置于所述侧壁的内侧，对所述开口部进行开闭，所述开闭器具有用于调温流体的流路。

公开(公告)号：CN115410891A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210570827.0

申请日：2022-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  佐佐木纯 ,  松本和也 ,  高桥慎伍 ,  永海幸一

IPC: H01J37/32

Abstract: 所公开的等离子体处理装置具备腔室、静电卡盘、第1供电线、及第2供电线。静电卡盘包括在其上搭载基板的第1区域及在其上搭载边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极。第2区域包括第2电极。第1供电线将产生施加到第1电极的电压的脉冲的偏置电源和第1电极彼此连接。第2供电线将产生施加到第2电极的电压的脉冲的偏置电源和第2电极彼此连接。第2供电线包括一个以上的插座及一个以上的供电引脚。一个以上的供电引脚在径向上具有挠性，并嵌入于一个以上的插座内。

公开(公告)号：CN110473761B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201910385178.5

申请日：2019-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  山边周平 ,  田丸直树 ,  吉村启佑 ,  坪井恭

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。

公开(公告)号：CN110473761A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910385178.5

申请日：2019-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  山边周平 ,  田丸直树 ,  吉村启佑 ,  坪井恭

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。

公开(公告)号：CN118471779A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410392182.5

申请日：2019-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  山边周平 ,  田丸直树 ,  吉村启佑 ,  坪井恭

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。

公开(公告)号：CN112585729B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980054831.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  谷川雄洋 ,  山边周平 ,  町田裕贵 ,  郑俊泳

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

Abstract: 例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。