公开(公告)号：CN113496890A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110347755.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上雅喜 ,  塞德里克·托马斯

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够以高选择比且高蚀刻速率来蚀刻硅。基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，并且包括以下工序：提供具有仅由硅构成的第一膜和含硅的第二膜的基板；以及通过由混合气体生成的等离子体来对第一膜进行蚀刻，所述混合气体包含含卤素气体和含硅气体而不包含含氧气体。

公开(公告)号：CN104054163B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280066942.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上雅喜 ,  小津俊久 ,  谷川雄洋 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。

公开(公告)号：CN104054163A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280066942.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上雅喜 ,  小津俊久 ,  谷川雄洋 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。