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公开(公告)号：CN112053930B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010493660.3
申请日：2020-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种用于防止副产物的附着的静电卡盘、支承台及等离子体处理装置。提供一种用于对基板及边缘环进行支承的静电卡盘，包括：第一区域，具有第一上表面，并且被构成为对被放置在所述第一上表面上的基板进行保持；第二区域，具有第二上表面，以包围所述第一区域的方式在周向上延伸，并且被构成为对被放置在该第二上表面上的边缘环进行支承；电极，设置在所述第二区域；以及具有伸缩性的部件，其中，所述第一上表面和所述第二上表面沿着单一的平坦面延伸，在所述第一区域与所述第二区域之间提供将所述第一上表面与所述第二上表面彼此分离的空间，所述具有伸缩性的部件布置在所述边缘环的容纳在所述空间内的部分与所述静电卡盘之间。
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公开(公告)号：CN111986972B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010384849.9
申请日：2020-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触，且搭载在该球状面上。根据本发明，能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。
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公开(公告)号：CN110197787B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910122590.8
申请日：2019-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和载置台的制造方法。所提供的等离子体处理装置具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件中形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件和配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件和所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
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公开(公告)号：CN108155094B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201711270773.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有静电卡盘(6)和升降销(61)。静电卡盘(6)具有载置晶圆(W)的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在该静电卡盘(6)形成有贯通载置面(21)和背面(22)的销用贯通孔(200)。升降销(61)的至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销(61)的前端收纳于销用贯通孔(200)，该升降销(61)通过相对于载置面(21)沿上下方向移动来沿上下方向搬送晶圆(W)。升降销(61)在与销用贯通孔(200)对应的前端部分具有导电膜(61c)。
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公开(公告)号：CN113496925A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110372663.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种边缘环,其能够降低导热气体的泄露。该边缘环配置于基板的周缘,其以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的的上限值以下。
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公开(公告)号：CN112640060A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057784.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00 , H05H1/46
Abstract: 提供一种基板支承体，其包括：基台；静电吸盘，用于放置基板；电极，设置于所述静电吸盘；所述电极的接点部；粘接层，在所述基台上将所述静电吸盘与所述基台粘接，并且不覆盖所述接点部；以及供电端子，以不被固定于所述电极的接点部的方式与所述电极的接点部接触。
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公开(公告)号：CN111161990A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911069339.6
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及基片支承器和等离子体处理装置。例示的实施方式的基片支承器包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。第2支承区域包括下部电极、保持区域和接合区域。保持区域包括第1电极和第2电极。第1电极和第2电极在周向延伸。第1电极设置于第2电极的内侧。分别与第1电极和第2电极连接的第1导线和第2导线在接合区域内在比第2支承区域的内侧边界和外侧边界靠内侧边界与外侧边界之间的中央部的附近或者中央部上延伸。本发明谋求在第1导线和第2导线各自与等离子体空间之间确保较大的距离，该第1导线和第2导线分别与用于保持聚焦环的保持区域的第1电极和第2电极连接。
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公开(公告)号：CN109509694A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811073526.7
申请日：2018-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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公开(公告)号：CN109148349A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810618819.2
申请日：2018-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。
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公开(公告)号：CN106504969B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610766213.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。本发明提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部、与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
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