等离子体处理装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111986972B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202010384849.9

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中,且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触,且搭载在该球状面上。根据本发明,能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。

    等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台

    公开(公告)号:CN111430232A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201911365022.7

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的载置台,其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件,第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外,环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔,设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部,和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧,而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。根据本发明,能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。

    气体供给装置和基板处理装置

    公开(公告)号:CN104205309A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201380019330.9

    申请日:2013-05-09

    Inventor: 内田阳平

    Abstract: 提供能够使等离子体在处理空间中更均匀地分布的气体供给装置。从处理气体供给源和附加气体供给源向处理空间(S)供给处理气体和附加气体的喷头(13)(气体供给装置)包括:多个气体分配板(28~31)、冷却板(32)和盖板(33),将气体分配板(28~31)、冷却板(32)和盖板(33)层叠,在最下层的气体分配板(28)上形成周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36),在各个气体分配板(28~31)上至少形成一个从处理气体供给源和附加气体供给源向周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36)的任意一个供给处理气体和附加气体的气体供给路径(52)(53、54或55),例如,气体分配板(31)的气体供给路径(52)分支成多个分支路径(52b~52e),从处理气体供给源至各个分支路径(52b~52e)的前端为止的距离相同。

    混合气体的供给方法和混合气体的供给装置

    公开(公告)号:CN101761778A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200910261099.X

    申请日:2009-12-22

    Inventor: 内田阳平

    CPC classification number: F17D1/04

    Abstract: 本发明提供一种混合气体的供给方法和混合气体的供给装置,在使用通过加热液体原料使其气化而成的液体原料气体的情况下,与现有技术相比,能够减少在利用加热器进行的加热中所需的电量,能够实现节能化。在同时供给从气体供给源以气体状态供给的通常气体和使用带有气化单元的流量控制器(14)将从液体原料供给源供给的液体原料加热使其气化而成的液体原料气体时,从与通常气体相比距离气体出口部(51)较近的位置所设置的上述单独气体供给管线(1A)供给液体原料气体,并且将液体原料气体供给到用于除去通常气体中的颗粒的过滤器(53)的后级。

    载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法

    公开(公告)号:CN112602176A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201980055656.4

    申请日:2019-08-26

    Abstract: 本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台,其包括:静电吸附上述基片的静电吸盘;配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环;固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环;使上述第一边缘环升降的升降销;配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极;和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。

    供电构造和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN111326397A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201911273973.1

    申请日:2019-12-12

    Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体的面内分布均匀化的供电构造和等离子体处理装置。供电构造具备第1连接构件组和第1端子区域。第1连接构件组由多个连接构件构成,该多个连接构件以对配置于等离子体处理装置用的处理容器内的聚焦环施加偏置电位的方式沿着聚焦环的周向配置。第1端子区域为环状,该第1端子区域与多个连接构件电连接。

    基片支承器、等离子体处理装置和聚焦环

    公开(公告)号:CN111161991A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201911081919.7

    申请日:2019-11-05

    Abstract: 本发明提供一种基片支承器,其包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。基片支承器具有导电结构和保持件。导电结构包括导电路径和连接部件。导电路径在第2支承区域的径向上的外侧提供端子区域,并从该端子区域向下方延伸。连接部件将聚焦环与端子区域彼此电连接。连接部件以面向聚焦环的在该连接部件的径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在端子区域上。保持件以向下方按压连接部件,并且使连接部件按压聚焦环的面的方式保持该连接部件。由此,基片支承器能够在抑制对保持聚焦环的静电引力进行抵抗的力的产生的同时提供可与聚焦环连接的电气通路。

    气体供给装置和基板处理装置

    公开(公告)号:CN104205309B

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:CN201380019330.9

    申请日:2013-05-09

    Inventor: 内田阳平

    Abstract: 提供能够使等离子体在处理空间中更均匀地分布的气体供给装置。从处理气体供给源和附加气体供给源向处理空间(S)供给处理气体和附加气体的喷头(13)(气体供给装置)包括:多个气体分配板(28~31)、冷却板(32)和盖板(33),将气体分配板(28~31)、冷却板(32)和盖板(33)层叠,在最下层的气体分配板(28)上形成周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36),在各个气体分配板(28~31)上至少形成一个从处理气体供给源和附加气体供给源向周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36)的任意一个供给处理气体和附加气体的气体供给路径(52)(53、54或55),例如,气体分配板(31)的气体供给路径(52)分支成多个分支路径(52b~52e),从处理气体供给源至各个分支路径(52b~52e)的前端为止的距离相同。

    被处理体的载置装置和处理装置

    公开(公告)号:CN110246740B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN201910161642.2

    申请日:2019-03-04

    Abstract: 本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置,具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括:在处理容器的内部载置被处理体的载置台;边缘环,其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台,形成有卡止部;导电性的连接部,其通过上述卡止部与上述边缘环连接;和第一接触部,其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下使上述边缘环与上述载置台接触。

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