公开(公告)号：CN112585729B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980054831.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  谷川雄洋 ,  山边周平 ,  町田裕贵 ,  郑俊泳

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

Abstract: 例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。

公开(公告)号：CN112585729A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980054831.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂友辅 ,  谷川雄洋 ,  山边周平 ,  町田裕贵 ,  郑俊泳

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

Abstract: 例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。