公开(公告)号：CN109103089B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201810644337.4

申请日：2018-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 谷川雄洋 ,  河田进二 ,  瀬本贵之

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供在腔室内的构件的表面更均匀地形成致密的保护膜的等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法包括供给工序和成膜工序。在供给工序中，向腔室内供给混合气体，所述混合气体包含：含有硅元素和卤元素的化合物气体、含氧气体、以及包含与化合物气体中包含的卤元素相同种类的卤元素且不包含硅元素的添加气体。在成膜工序中，利用混合气体的等离子体，在腔室内的构件的表面形成保护膜。

公开(公告)号：CN109103089A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810644337.4

申请日：2018-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 谷川雄洋 ,  河田进二 ,  瀬本贵之

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供在腔室内的构件的表面更均匀地形成致密的保护膜的等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法包括供给工序和成膜工序。在供给工序中，向腔室内供给混合气体，所述混合气体包含：含有硅元素和卤元素的化合物气体、含氧气体、以及包含与化合物气体中包含的卤元素相同种类的卤元素且不包含硅元素的添加气体。在成膜工序中，利用混合气体的等离子体，在腔室内的构件的表面形成保护膜。