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公开(公告)号：CN107731677B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710659499.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。
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公开(公告)号：CN108630514A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810240731.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。
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公开(公告)号：CN109559987B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811118529.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN110491769A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910387938.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , G06F17/14
Abstract: 本发明提供一种能够更准确地驱动部件的部件的驱动方法。本发明提供一种设置于处理室内的部件的驱动方法，其包括：对上述部件照射具有能够透过上述部件的波长的测量光的步骤；基于来自上述部件的正面的反射光和来自上述部件的背面的反射光，来检测反射光的强度分布的步骤；对表示上述强度分布的光谱进行傅里叶变换来计算光程差的步骤；基于上述光程差来决定上述部件的驱动量的步骤；和基于决定出的上述驱动量驱动上述部件的步骤。
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公开(公告)号：CN111819667A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017866.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一个例示的实施方式的等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括：对腔室内供给非活性气体的步骤；和使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中，选择性地实施两个处理中的一者以从腔室内的非活性气体生成等离子体，该两个处理是：将第一高频电功率供给到等离子体处理装置的上部电极的处理；和将第二高频电功率供给到基片支承台的下部电极的处理。此外，在进行沉积的步骤中，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109559987A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811118529.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN110491769B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910387938.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , G06F17/14
Abstract: 本发明提供一种能够更准确地驱动部件的部件的驱动方法。本发明提供一种设置于处理室内的部件的驱动方法，其包括：对上述部件照射具有能够透过上述部件的波长的测量光的步骤；基于来自上述部件的正面的反射光和来自上述部件的背面的反射光，来检测反射光的强度分布的步骤；对表示上述强度分布的光谱进行傅里叶变换来计算光程差的步骤；基于上述光程差来决定上述部件的驱动量的步骤；和基于决定出的上述驱动量驱动上述部件的步骤。
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公开(公告)号：CN115938906A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310085511.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括执行以下步骤a～步骤e的控制部，将基片放置在基片支承件上的步骤a；在腔室中利用第一RF信号和第二RF信号从第一气体形成第一等离子体的步骤b，在步骤b中，第二RF信号以0以上的第一电功率被供给至下部电极；使基片暴露在第一等离子体中的步骤c；在腔室中利用第一RF信号、第二RF信号和磁场从第二气体形成第二等离子体的步骤d，在步骤d中，第二RF信号以大于第一电功率的第二电功率被供给至下部电极；和使基片暴露在第二等离子体中的步骤e。
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公开(公告)号：CN111819667B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980017866.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一个例示的实施方式的等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括：对腔室内供给非活性气体的步骤；和使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中，选择性地实施两个处理中的一者以从腔室内的非活性气体生成等离子体，该两个处理是：将第一高频电功率供给到等离子体处理装置的上部电极的处理；和将第二高频电功率供给到基片支承台的下部电极的处理。此外，在进行沉积的步骤中，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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公开(公告)号：CN111640640B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202010467116.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/21 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对基板的面内整体进行的处理的特性，并控制基板的边缘部的处理特性。
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