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公开(公告)号：CN111261511A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911220416.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN111986972B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010384849.9
申请日：2020-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触，且搭载在该球状面上。根据本发明，能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。
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公开(公告)号：CN112585729A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054831.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/50 , H05H1/46
Abstract: 例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。
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公开(公告)号：CN111092009B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910992484.5
申请日：2019-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473761B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910385178.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。
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公开(公告)号：CN110473761A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910385178.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。
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公开(公告)号：CN118471779A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410392182.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。
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公开(公告)号：CN111261511B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201911220416.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN112585729B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980054831.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/50 , H05H1/46
Abstract: 例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置包括腔室、构件以及加热器。在腔室的内部空间中生成等离子体。构件局部地配置于腔室的内部空间中。加热器构成为对构件进行加热。构件自内部空间朝向腔室的外侧延伸而暴露于腔室的外侧的空间。
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