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公开(公告)号：CN118136550A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311554736.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供输送模块和输送方法，能够减少基片处理系统的设置面积。输送模块包括壳体、装载口、输送装置和储存单元。装载口设置于壳体的侧壁，能够载置用于收纳多个被输送物的容器。输送装置配置在壳体内，用于输送被输送物。储存单元配置在壳体内，能够暂时收纳多个被输送物。壳体具有与装载锁定模块连接的第1侧壁和与第1侧壁相对的侧壁以外的第2侧壁，该第2侧壁设置有装载口。输送装置具有第1臂，该第1臂具有能够载置多个被输送物的多个叉形件。另外，输送装置利用第1臂将载置于装载口的容器内的多个被输送物一并输送到储存单元内。
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公开(公告)号：CN114496695A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111203494.X
申请日：2021-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供处理系统和处理方法，能够使用设置于输送叉形部件的传感器测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量结果适当地进行基片的处理。在减压环境下对基片进行处理的系统包括：对基片实施所希望的处理的处理腔室；输送腔室，其具有进行上述基片相对于上述处理腔室的送入送出的输送机构；和控制上述处理腔室中的处理过程的控制部，上述输送机构具有：将上述基片保持于上表面地进行输送的叉形部；和测量机构，其设置于上述叉形部，能够测量上述处理腔室的内部状态，上述控制部基于由上述测量机构获取到的上述处理腔室的内部状态，控制上述处理腔室中的处理过程。
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公开(公告)号：CN109425414B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811009097.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01F25/00
Abstract: 本发明提供一种检查在累加法中利用的流量测量系统是否处于适合于准确求取气体流量的状态的方法。一个实施方式的方法涉及在基板处理系统中使用的检查流量测量系统的方法。流量测量系统提供基于累加法的流量的计算中使用的气体流路。由基板处理系统的气体供给部的流量控制器输出的气体能够向该气体流路供给。在该方法中，除了气体流路的容积的预先所求取的初始值之外，还在流量测量系统的检查时求取该气体流路的容积。并且，将所求取的容积与初始值进行比较。
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公开(公告)号：CN107768224B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201710711805.0
申请日：2017-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种检查等离子体处理装置的喷淋板的方法。在一个实施方式的方法中被检查的所述等离子体处理装置中，气体排出部具有喷淋板。喷淋板形成有多个气体排出孔。该方法包括：(i)设定从第一流量控制器输出的气体的流量的步骤；和(ii)在将以设定的流量从第一流量控制器输出的气体供给到气体排出部且在第一流量控制器与气体排出部之间分支而供给到压力控制式的第二流量控制器的内部的流路的状态下，利用该第二流量控制器的压力计取得表示该第二流量控制器的内部的所述流路中的压力的测定值的步骤。
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公开(公告)号：CN100530537C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580001439.5
申请日：2005-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67167 , C23C16/455 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提供一种半导体处理装置(1)，包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101236893A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810008939.7
申请日：2008-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供一种能在高压下控制处理室内的压力且高速排出处理室内气体的基板处理方法，基板处理系统(10)包括：对晶片W实施化学反应处理的第二工艺模块(28)，其具有处理室(33)和对该腔室(33)内气体等进行排气且对腔室(33)内压力进行控制的排气控制系统(37)，在对收容于腔室(33)内的晶片W实施化学反应处理时，通过口径较小的APC阀(55)控制腔室(33)内压力，在对晶片W实施化学反应处理后，开放APC阀(55)并利用干式泵(46)将腔室(33)内的氟化氢气体等从排气管(53)排出，并进一步关闭APC阀(55)并开放隔离阀(51)利用TMP(50)通过排气管(47)排出。
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公开(公告)号：CN116146729A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211409327.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种闸阀和驱动方法，能够减少气体泄漏。闸阀在具有设置有第一开口部的第一腔室的真空处理装置中对所述第一开口部进行开闭，所述闸阀具备：阀体，其用于对所述第一开口部进行开闭；驱动部，其用于使所述阀体移动，以使所述阀体至少取关闭所述第一开口部的位置即关闭位置和打开所述第一开口部的位置即打开位置；第一气体线路及第二气体线路；以及第一切换阀，其用于将所述第一气体线路和所述第二气体线路中的一方与所述驱动部连接，其中，所述驱动部通过从所述第一气体线路或所述第二气体线路供给来的气体的压力来使所述阀体从所述打开位置向所述关闭位置移动，通过从所述第二气体线路供给来的气体的压力将所述阀体保持于所述关闭位置。
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公开(公告)号：CN114496870A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111288079.9
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供无需设置定位装置就能够对输送对象物进行定位的检测装置、处理系统和输送方法。本发明的一个方式的检测装置是检测输送对象物相对于输送机构的位置偏移的检测装置，其包括：图像传感器，其获取包含上述输送机构和由该输送机构保持的上述输送对象物的图像；和运算部，其基于由上述图像传感器获取的上述图像，计算上述输送对象物的包含水平方向和旋转方向上的位置偏移量在内的位置偏移量。
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公开(公告)号：CN114203581A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111043090.9
申请日：2021-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , B08B5/02
Abstract: 本发明提供能够通过消除气体的滞留来抑制颗粒积存的基片处理装置等，基片处理装置包括：真空输送室，其具有顶面、与顶面相对的底面以及顶面与底面之间的侧面，侧面具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；配置在真空输送室内的用于输送基片的输送机械臂；与第一侧面连接的负载锁定模块；配管，其与吹扫气体供给源连接，向真空输送室内供给吹扫气体；至少1个进气口，其设置在第二侧面的附近的顶面，与配管连接；和至少1个排气口，其设置在真空输送室的第一侧面的附近的底面，与用于对供给到真空输送室的吹扫气体进行排气的排气泵连接。
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公开(公告)号：CN114078731A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110912886.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供运送装置、运送系统和末端执行器，其目的在于能够削减含运送装置在内的系统全体的空间量，运送装置是用于同时或分别运送晶片和具有圆形的外形的消耗品的运送装置，其包括末端执行器、机械臂和控制装置，消耗品能够配置在晶片处理模块内，消耗品的外径比晶片的外径大，在末端执行器以同时或分别载置晶片和消耗品的方式构成，机械臂以使末端执行器移动的方式构成，控制装置在运送消耗品的情况下，控制机械臂，以使得消耗品以消耗品的重心与第一位置一致的方式载置在末端执行器上，此外，控制装置在运送晶片的情况下，控制机械臂，以使得晶片以晶片的重心与第一位置和末端执行器的前端之间的第二位置一致的方式载置在末端执行器上。
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