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公开(公告)号：CN101329998A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810128029.2
申请日：2005-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67167 , C23C16/455 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提供一种半导体处理装置(1)，包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。
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公开(公告)号：CN110017877A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910001569.2
申请日：2019-01-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01F15/04
Abstract: 本发明的基板处理系统具备具有第1气体流路的气体供给部。第1气体流路上连接有流量测定系统的第2气体流路。流量测定系统还具备连接于第2气体流路的第3气体流路以及分别测定第3气体流路中的压力及温度的压力传感器及温度传感器。一实施方式的方法中，通过积层方法计算从气体供给部的流量控制器输出的气体的流量。不使用第1气体流路与第2气体流路的合计容积及第1气体流路与第2气体流路中的温度而计算气体的流量。
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公开(公告)号：CN109425414A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811009097.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01F25/00
Abstract: 本发明提供一种检查在累加法中利用的流量测量系统是否处于适合于准确求取气体流量的状态的方法。一个实施方式的方法涉及在基板处理系统中使用的检查流量测量系统的方法。流量测量系统提供基于累加法的流量的计算中使用的气体流路。由基板处理系统的气体供给部的流量控制器输出的气体能够向该气体流路供给。在该方法中，除了气体流路的容积的预先所求取的初始值之外，还在流量测量系统的检查时求取该气体流路的容积。并且，将所求取的容积与初始值进行比较。
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公开(公告)号：CN102810445B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210174846.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/3244 , Y10T137/0368
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所切换的处理气体的各个气体供给路，开启设置于其气体供给路中的质量流量控制器（MFC）的下游侧的开闭阀，在质量流量控制器反复设定规定流量和零流量，由此交替开闭各个处理气体的供给。
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公开(公告)号：CN109425414B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811009097.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01F25/00
Abstract: 本发明提供一种检查在累加法中利用的流量测量系统是否处于适合于准确求取气体流量的状态的方法。一个实施方式的方法涉及在基板处理系统中使用的检查流量测量系统的方法。流量测量系统提供基于累加法的流量的计算中使用的气体流路。由基板处理系统的气体供给部的流量控制器输出的气体能够向该气体流路供给。在该方法中，除了气体流路的容积的预先所求取的初始值之外，还在流量测量系统的检查时求取该气体流路的容积。并且，将所求取的容积与初始值进行比较。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107768224B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201710711805.0
申请日：2017-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种检查等离子体处理装置的喷淋板的方法。在一个实施方式的方法中被检查的所述等离子体处理装置中，气体排出部具有喷淋板。喷淋板形成有多个气体排出孔。该方法包括：(i)设定从第一流量控制器输出的气体的流量的步骤；和(ii)在将以设定的流量从第一流量控制器输出的气体供给到气体排出部且在第一流量控制器与气体排出部之间分支而供给到压力控制式的第二流量控制器的内部的流路的状态下，利用该第二流量控制器的压力计取得表示该第二流量控制器的内部的所述流路中的压力的测定值的步骤。
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公开(公告)号：CN110323158A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910242299.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一实施方式的基板处理系统具备基板处理装置及测定装置。基板处理装置具有气体供给部。气体供给部具有流量控制器及次级阀。次级阀连接于流量控制器的次级侧。若从基板处理系统的第1控制部经由配线输出电压，则次级阀打开。测定装置根据来自第1控制部的指示测定从流量控制器输出的气体的流量。测定装置具有第2控制部。测定装置具有设置于上述配线上的继电器。第2控制部构成为控制继电器。
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公开(公告)号：CN100530537C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580001439.5
申请日：2005-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67167 , C23C16/455 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提供一种半导体处理装置(1)，包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。
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公开(公告)号：CN110323158B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910242299.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一实施方式的基板处理系统具备基板处理装置及测定装置。基板处理装置具有气体供给部。气体供给部具有流量控制器及次级阀。次级阀连接于流量控制器的次级侧。若从基板处理系统的第1控制部经由配线输出电压，则次级阀打开。测定装置根据来自第1控制部的指示测定从流量控制器输出的气体的流量。测定装置具有第2控制部。测定装置具有设置于上述配线上的继电器。第2控制部构成为控制继电器。
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公开(公告)号：CN109119318A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810636615.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 实吉梨沙子
Abstract: 本发明提供一种检查气体供给系统的方法。一实施方式中，在基板处理装置的腔室经由气体供给管路及气体导入口连接有气化器。在气体供给管路连接有排气装置。基板处理装置具备获取气体供给管路的压力的测定值的压力传感器。一实施方式的方法包括：从气化器经由气体供给管路向腔室供给处理气体的工序；及在已停止向气体供给管路供给处理气体的状态下，对通过压力传感器获取的测定值的变化进行监控的工序。
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