基板处理方法和基板处理装置

    公开(公告)号:CN101236893A

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200810008939.7

    申请日:2008-01-31

    CPC classification number: H01L21/67069 H01L21/02071

    Abstract: 本发明提供一种能在高压下控制处理室内的压力且高速排出处理室内气体的基板处理方法,基板处理系统(10)包括:对晶片W实施化学反应处理的第二工艺模块(28),其具有处理室(33)和对该腔室(33)内气体等进行排气且对腔室(33)内压力进行控制的排气控制系统(37),在对收容于腔室(33)内的晶片W实施化学反应处理时,通过口径较小的APC阀(55)控制腔室(33)内压力,在对晶片W实施化学反应处理后,开放APC阀(55)并利用干式泵(46)将腔室(33)内的氟化氢气体等从排气管(53)排出,并进一步关闭APC阀(55)并开放隔离阀(51)利用TMP(50)通过排气管(47)排出。

    基板处理方法和基板处理装置

    公开(公告)号:CN101236893B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN200810008939.7

    申请日:2008-01-31

    CPC classification number: H01L21/67069 H01L21/02071

    Abstract: 本发明提供一种能在高压下控制处理室内的压力且高速排出处理室内气体的基板处理方法,基板处理系统(10)包括:对晶片W实施化学反应处理的第二工艺模块(28),其具有处理室(33)和对该腔室(33)内气体等进行排气且对腔室(33)内压力进行控制的排气控制系统(37),在对收容于腔室(33)内的晶片W实施化学反应处理时,通过口径较小的APC阀(55)控制腔室(33)内压力,在对晶片W实施化学反应处理后,开放APC阀(55)并利用干式泵(46)将腔室(33)内的氟化氢气体等从排气管(53)排出,并进一步关闭APC阀(55)并开放隔离阀(51)利用TMP(50)通过排气管(47)排出。

Patent Agency Ranking