公开(公告)号：CN105158791B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201510365453.9

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  张磊 ,  杨瑾 ,  陈梦斐 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王宇彤 ,  胡艳 ,  王林军

IPC: G01T3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。

公开(公告)号：CN105161565A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510365436.5

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  张月璐 ,  陈梦斐 ,  于鸿泽 ,  孟华 ,  陶骏 ,  黄健 ,  徐闰 ,  张继军

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测器。本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触，获得更好的欧姆接触，从而降低器件的暗电流，提高器件灵敏度和光电响应。本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。

公开(公告)号：CN105158791A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510365453.9

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  张磊 ,  杨瑾 ,  陈梦斐 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王宇彤 ,  胡艳 ,  王林军

IPC: G01T3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。