公开(公告)号：CN102709404A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210205718.5

申请日：2012-06-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  周平生 ,  周平华 ,  李杰 ,  瞿晓雷 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  李季戎 ,  张月璐 ,  许月阳

IPC: H01L31/20 ,  C23C16/44

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀，并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化（MIC）技术中金属重污染的问题，并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。