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公开(公告)号：CN110565165B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN115369488B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210835318.6
申请日：2022-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。
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公开(公告)号：CN111312857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN115369488A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210835318.6
申请日：2022-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113046830A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110213111.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法，利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液，有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂，及调节溶剂之间的不同配比，有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境，同时合理调节不同生长阶段的降温速度，使用正温结晶法生长出大尺寸，高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶，使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单，成本低廉，过程可控，且制备的材料无毒无害对人体和环境友好，为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案，具有显著推广价值。
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公开(公告)号：CN105161565A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510365436.5
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/022408 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测器。本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触，获得更好的欧姆接触，从而降低器件的暗电流，提高器件灵敏度和光电响应。本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。
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公开(公告)号：CN113046830B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202110213111.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法，利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液，有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂，及调节溶剂之间的不同配比，有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境，同时合理调节不同生长阶段的降温速度，使用正温结晶法生长出大尺寸，高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶，使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单，成本低廉，过程可控，且制备的材料无毒无害对人体和环境友好，为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案，具有显著推广价值。
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公开(公告)号：CN111312857A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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