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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161565A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510365436.5
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/022408 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测器。本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触，获得更好的欧姆接触，从而降低器件的暗电流，提高器件灵敏度和光电响应。本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。
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公开(公告)号：CN106057968A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610406750.8
申请日：2016-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022408
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯‑金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯‑金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN105895740A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610315723.X
申请日：2016-05-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯?金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯?金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN105789387B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610176123.X
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种CuS/GaN异质结的制备方法，属于光电器件部件制造工艺技术领域。本发明主要特点在于采用n型GaN薄膜作为衬底，并在此衬底上制备高质量的p型CuS薄膜,从而获得CuS/GaN异质结。本发明所得器件退火后具有明显的整流特性，在电压±5V时，退火前与退火后器件的正向电流（IF）与反向电流（IR）的之比分别为12.5,146。退火后的样品漏电流有明显的降低，具有更好的整流特性。
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公开(公告)号：CN105789387A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610176123.X
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/005
Abstract: 本发明涉及一种CuS/GaN异质结的制备方法，属于光电器件部件制造工艺技术领域。本发明主要特点在于采用n型GaN薄膜作为衬底，并在此衬底上制备高质量的p型CuS薄膜,从而获得CuS/GaN异质结。本发明所得器件退火后具有明显的整流特性，在电压±5V时，退火前与退火后器件的正向电流（IF）与反向电流（IR）的之比分别为12.5,146。退火后的样品漏电流有明显的降低，具有更好的整流特性。
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