公开(公告)号：CN103236466A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310117598.8

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 李季戎 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  王国华 ,  杨伟光 ,  沈心蔚 ,  沈介圣 ,  何玲玲 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  C03C17/22

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。

公开(公告)号：CN102800747A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210237891.3

申请日：2012-07-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  袁安东 ,  张月璐 ,  廖阳 ,  杨伟光 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  王国华 ,  王晨 ,  韩洋 ,  沈心蔚 ,  陶媛

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C01G9/02 ,  C01G9/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫（CZTS）太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，接着使用真空管式炉，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液。最后，通过水热法硫化生长ZnS壳层结构，生长溶液为0.05~0.50mol/L硫代乙酰胺（TAA）的水溶液，在水热反应釜中硫化1~9小时后取出，然后放入烘箱烘干，即可得到ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构。

公开(公告)号：CN103343389A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310280052.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  王君楠 ,  黄健 ,  姚蓓玲 ,  唐可 ,  朱悦 ,  张凯勋 ,  陶骏 ,  沈心蔚

IPC: C30B29/46 ,  C30B28/12

Abstract: 本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的CdZnTe薄膜厚度为100~500mm。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。本发明制备的柱状CdZnTe薄膜相比常规的CdZnTe薄膜，具有更少的晶界缺陷和更好的电阻率，电阻率最高可达6×109Ω·cm。

公开(公告)号：CN103952675A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410173480.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  任兵 ,  沈心蔚 ,  黄健 ,  杨晓蓉 ,  杨惠敏 ,  唐可 ,  沈忠文 ,  夏义本

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明为一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法，公开了一种应用于光伏产业的硫化亚铜薄膜的制备技术。所述制备方法是基于直流磁控溅射技术。该工艺以高纯度硫化亚铜为溅射靶材，使用氩气作为工作气体。该方法具有沉积速率高、膜厚可控、重复性好等特点，可以制备大面积、均匀、高质量的硫化亚铜薄膜，有望实现硫化亚铜薄膜的产业化生产。