公开(公告)号：CN104637908B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201410645885.0

申请日：2014-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马金希 ,  赵泰济 ,  金知晃

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：封装基体基底；至少一个第一半导体芯片，设置在封装基体基底上；第一模制构件，设置在与所述至少一个第一半导体芯片相同的水平处并且不覆盖所述至少一个第一半导体芯片的上表面；至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述至少一个第一半导体芯片上以在所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件上方延伸，其中，所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件的至少一部分设置在封装基体基底和所述至少一个第二半导体芯片之间；以及第二模制构件，设置在与所述至少一个第二半导体芯片相同的水平处。

公开(公告)号：CN104637908A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410645885.0

申请日：2014-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马金希 ,  赵泰济 ,  金知晃

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：封装基体基底；至少一个第一半导体芯片，设置在封装基体基底上；第一模制构件，设置在与所述至少一个第一半导体芯片相同的水平处并且不覆盖所述至少一个第一半导体芯片的上表面；至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述至少一个第一半导体芯片上以在所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件上方延伸，其中，所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件的至少一部分设置在封装基体基底和所述至少一个第二半导体芯片之间；以及第二模制构件，设置在与所述至少一个第二半导体芯片相同的水平处。

公开(公告)号：CN104241229B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN102064153B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201010524178.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭夏 ,  尹玟升 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金南锡 ,  马金希

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述制造半导体器件的方法包括：准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底，在第二表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成牺牲层，形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口，在开口的内壁上形成第二绝缘层，形成填充开口的插塞，去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。

公开(公告)号：CN115458490A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210630598.7

申请日：2022-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马金希

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体器件包括半导体元件层，所述半导体元件层包括半导体衬底，所述半导体衬底包括凸块区域和虚设凸块区域。TSV结构位于所述凸块区域中，并且垂直地延伸穿过所述半导体衬底，第一最顶部线位于所述凸块区域中并位于所述TSV结构上，并且电连接到所述TSV结构，信号凸块位于所述凸块区域中，在第一方向上具有第一宽度，并且经由所述第一最顶部线电连接到所述TSV结构，第二最顶部线位于所述虚设凸块区域中，具有与所述第一最顶部线的垂直高度相同的垂直高度，并且在所述第一方向上延伸，并且虚设凸块位于所述虚设凸块区域中，接触第二最顶部线，并且在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN1893053A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610054947.6

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李康旭 ,  金玖星 ,  权容载 ,  马金希 ,  韩成一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种制造芯片嵌入型插件的方法，其可以包括：在硅衬底上形成至少一个凹腔，形成多个穿入所述硅衬底的通路，提供具有多个输入/输出焊盘的集成电路芯片，以及形成连接于所述输入/输出焊盘和通路的重布线导体。使用所述插件，可以在晶片的层次上组成具有不同种类的芯片的堆叠结构。

公开(公告)号：CN114256220A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111086297.4

申请日：2021-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马金希 ,  张喆容

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体芯片的互连结构和半导体封装件。所述互连结构可以包括互连过孔件、下焊盘、导电凸块和上焊盘。互连过孔件可以布置在半导体芯片中。下焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的下表面暴露的下端上。导电凸块可以布置在下焊盘上。上焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的上表面暴露的上端上。上焊盘的宽度可以比互连过孔件的宽度宽，并且可以比下焊盘的宽度窄。因此，在具有薄的厚度的互连结构中，不会在导电凸块之间产生电短路。

公开(公告)号：CN104241229A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN102064153A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010524178.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭夏 ,  尹玟升 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金南锡 ,  马金希

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述制造半导体器件的方法包括：准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底，在第二表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成牺牲层，形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口，在开口的内壁上形成第二绝缘层，形成填充开口的插塞，去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。

公开(公告)号：CN101026102A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710004098.8

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容载 ,  李康旭 ,  马金希 ,  韩成一 ,  李东镐

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 在层叠芯片结构及其制造方法中，使用相对简单的工艺完全填充下芯片和上芯片之间的间隙，消除下和上芯片之间的空隙，并消除与空隙相关的断裂和剥离问题。本发明可被应用于芯片级和晶片级键合方法。在层叠芯片或层叠晶片之前，光敏聚合物层被施加到第一芯片或晶片。该光敏聚合物层被部分地固化，以便使该光敏聚合物层的结构稳定，同时保持其粘附性能。第二芯片或晶片被层叠、对准和键合到第一芯片或晶片，然后该光敏聚合物层被固化，以完全键合第一和第二芯片或晶片。以此方式，芯片/晶片之间的粘附力被大大地提高，同时提供间隙的完全填充。此外，机械可靠性被提高和CTE不匹配被减小，减轻与翘曲、断裂和剥离相关的问题，从而提高器件成品率和器件可靠性。