-
公开(公告)号：CN103855133B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201310646036.2
申请日：2013-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件，该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。
-
公开(公告)号：CN104241229A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410279831.7
申请日：2014-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/119 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/81005 , H01L2224/81007 , H01L2224/92 , H01L2224/92227 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L2224/1191 , H01L2924/00 , H01L2224/13099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。
-
公开(公告)号：CN103855133A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310646036.2
申请日：2013-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件，该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。
-
公开(公告)号：CN108063139B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201711096653.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的基板；在基板的第一区域上的单元栅图案；在基板的第二区域上的虚设栅图案；在基板的第二区域上且在虚设栅图案之上的电阻器图案；以及联接到每个连接区的连接结构。电阻器图案包括主体区和在主体区的两侧的连接区。当在平面图中看时，虚设栅图案交叠主体区而不交叠连接区。
-
公开(公告)号：CN113270498A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110126121.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：基板；防护环，其设置在基板上并且与基板的边缘相邻；集成电路结构，其被防护环围绕并且设置在基板上；以及绝缘材料结构，其设置在防护环的侧表面上，其中，防护环包括在基板上的多个防护有源结构、设置在多个防护有源结构中的每一个上的多个防护接触结构、和设置在多个防护接触结构当中的彼此相邻的一对防护接触结构上的防护互连结构，其中，多个防护有源结构中的每一个包括彼此间隔开的多个防护有源鳍。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241229B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410279831.7
申请日：2014-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/119 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/81005 , H01L2224/81007 , H01L2224/92 , H01L2224/92227 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L2224/1191 , H01L2924/00 , H01L2224/13099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。
-
公开(公告)号：CN103035543A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210377594.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14104 , H01L2224/14515 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/01022 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01046 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/014
Abstract: 本发明涉及形成用于半导体器件的连接突块的方法，在所述半导体器件中形成重布线图案。所述方法包括：制备半导体衬底，在半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；在焊盘和钝化膜上形成种子层；形成包括开口图案的光致抗蚀剂图案，所述开口图案包括暴露出焊盘上的种子层的一部分的第一开口以及暴露出钝化膜上的种子层的一部分并且与第一开口分开的第二开口；施行第一电镀，以便在开口图案中形成填充物层；施行第二电镀，以便在填充物层上形成焊料层；去除光致抗蚀剂图案；以及施行回流工艺，以便形成将各个填充物层彼此电连接的塌陷焊料层以及位于形成在第二开口中的填充物层上的焊料突块。
-
-
-
公开(公告)号：CN108063139A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711096653.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/32139 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/5228 , H01L23/53295 , H01L28/20 , H01L29/0696
Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的基板；在基板的第一区域上的单元栅图案；在基板的第二区域上的虚设栅图案；在基板的第二区域上且在虚设栅图案之上的电阻器图案；以及联接到每个连接区的连接结构。电阻器图案包括主体区和在主体区的两侧的连接区。当在平面图中看时，虚设栅图案交叠主体区而不交叠连接区。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.027 seconds)
