公开(公告)号：CN115966553A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211240493.7

申请日：2022-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜芸炳 ,  尹玟升 ,  赵庸会 ,  秦正起 ,  崔允硕

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/535 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/12

Abstract: 提供了一种半导体封装，其包括：第一再分布基板；在第一再分布基板上的第一半导体芯片；在第一再分布基板和第一半导体芯片之间的第一凸块；在第一再分布基板上并且与第一半导体芯片间隔开的导电结构；在第一半导体芯片上的第二再分布基板；在第一半导体芯片和第二再分布基板之间的第二凸块；在第二再分布基板上的第二半导体芯片；在第一再分布基板和第二再分布基板之间并且在第一半导体芯片上的第一模层；以及在第二再分布基板和第二半导体芯片上并且与第一模层间隔开的第二模层。

公开(公告)号：CN102479771A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110396465.X

申请日：2011-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  赵泰济 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  郑世泳 ,  姜芸炳 ,  尹玟升

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/525 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。

公开(公告)号：CN102064153A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010524178.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭夏 ,  尹玟升 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金南锡 ,  马金希

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述制造半导体器件的方法包括：准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底，在第二表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成牺牲层，形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口，在开口的内壁上形成第二绝缘层，形成填充开口的插塞，去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。

公开(公告)号：CN101937892B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201010108463.1

申请日：2010-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  张东铉 ,  李仁荣 ,  尹玟升 ,  黄善宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  G11C7/10

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。

公开(公告)号：CN101937892A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010108463.1

申请日：2010-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  张东铉 ,  李仁荣 ,  尹玟升 ,  黄善宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  G11C7/10

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。

公开(公告)号：CN111755410A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201911067933.1

申请日：2019-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴有庆 ,  柳承官 ,  尹玟升 ,  崔允硕

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L25/18

Abstract: 提供一种中介层以及半导体封装。中介层包括：基础基底；互连结构，位于基础基底的顶表面上且包括金属互连图案；上钝化层，位于互连结构上且具有压缩应力；下钝化层，位于基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比上钝化层的压缩应力小的压缩应力；下导电层，位于下钝化层下面；以及贯穿电极，穿透基础基底及下钝化层。所述贯穿电极将下导电层电连接到互连结构的金属互连图案。

公开(公告)号：CN102479771B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201110396465.X

申请日：2011-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  赵泰济 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  郑世泳 ,  姜芸炳 ,  尹玟升

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/525 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。

公开(公告)号：CN102064153B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201010524178.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭夏 ,  尹玟升 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金南锡 ,  马金希

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述制造半导体器件的方法包括：准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底，在第二表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成牺牲层，形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口，在开口的内壁上形成第二绝缘层，形成填充开口的插塞，去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。