公开(公告)号：CN102479808B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110380604.X

申请日：2011-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮在贤 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金晶焕

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据本发明构思的半导体器件可以包括衬底，该衬底具有带有电路图案的上表面、与所述上表面相对的下表面和穿过所述衬底的穿透电极。所述穿透电极可以包括从所述下表面突出的突出部分。所述衬底可以包括支撑部分，该支撑部分从所述下表面朝向所述突出部分延伸以围绕所述突出部分的周向侧面。

公开(公告)号：CN102051650A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010545979.2

申请日：2010-11-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  TKC有限公司

Inventor： 李宜珩 ,  金南锡 ,  徐云浩 ,  韩旻锡 ,  朱煐县 ,  崔朱逸

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/08 ,  H01L21/288 ,  H01L21/445

CPC classification number: C25D17/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/008 ,  C25D17/02 ,  C25D21/10

Abstract: 本发明提供了电镀基板的装置和方法。电镀基板的装置包括：基板支撑构件，支撑基板使得基板的镀覆表面面朝上；阳极电极，设置在基板支撑构件的上方；电源，用于施加电压到阳极电极和基板；以及镀覆溶液供应构件，用于提供镀覆溶液到基板上。

公开(公告)号：CN102064153B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201010524178.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭夏 ,  尹玟升 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金南锡 ,  马金希

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述制造半导体器件的方法包括：准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底，在第二表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成牺牲层，形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口，在开口的内壁上形成第二绝缘层，形成填充开口的插塞，去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。

公开(公告)号：CN102376598A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229962.0

申请日：2011-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑泰敬 ,  安殷徹 ,  李宜珩 ,  李相熙

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种用于晶片级突起回流的设备、系统和方法。一种用于形成晶片级突起的方法包括如下步骤：在晶片的第一表面上形成至少一个预突起；在第一表面面朝下的同时，对预突起执行突起回流工艺，从而形成突起。

公开(公告)号：CN115942750A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210980368.3

申请日：2022-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宜珩 ,  安炫俊 ,  朴晧年 ,  李宗锡

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成模结构，该模结构包括在第一方向上交替且重复地堆叠的电极间绝缘膜和牺牲膜；形成在第一方向上穿透模结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；去除牺牲膜以形成暴露垂直沟道结构的沟槽，该沟槽在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及使用湿沉积工艺形成分别填充沟槽的金属线，每个金属线形成为单层。

公开(公告)号：CN102064153A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010524178.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭夏 ,  尹玟升 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金南锡 ,  马金希

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述制造半导体器件的方法包括：准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底，在第二表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成牺牲层，形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口，在开口的内壁上形成第二绝缘层，形成填充开口的插塞，去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。

公开(公告)号：CN119560452A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411064286.X

申请日：2024-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宜珩 ,  陈相昊 ,  朴种国 ,  金柔诊 ,  尹霞卿 ,  李园喜

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在真空状态下的第一基板处理装置中，在基板上提供具有沟槽的层间介电层；当基板在第一基板处理装置中时，在沟槽中形成第一金属阻挡层；从第一基板处理装置卸载基板，并将基板暴露于非真空环境；在真空状态的第二基板处理装置中提供基板；在第二基板处理装置中，在沟槽中形成第二金属阻挡层；以及形成金属图案以填充沟槽。

公开(公告)号：CN115547921A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210696646.2

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善铁 ,  李东炫 ,  李宜珩

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/108

Abstract: 一种形成接触的方法可以包括：将包括硅氧化物膜的半导体衬底提供到腔室内部；对硅氧化物膜的表面进行等离子体氮化处理；将包括TiCl4和H2的源气体供应到经受等离子体氮化处理的硅氧化物膜上；以及通过使用源气体激发等离子体而形成阻挡层。

公开(公告)号：CN102479808A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110380604.X

申请日：2011-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮在贤 ,  李宜珩 ,  崔朱逸 ,  金晶焕

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据本发明构思的半导体器件可以包括衬底，该衬底具有带有电路图案的上表面、与所述上表面相对的下表面和穿过所述衬底的穿透电极。所述穿透电极可以包括从所述下表面突出的突出部分。所述衬底可以包括支撑部分，该支撑部分从所述下表面朝向所述突出部分延伸以围绕所述突出部分的周向侧面。