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公开(公告)号:CN1624919A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN200410078584.0
申请日:2004-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/50 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L27/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子模块,包括一个单片微电子基板,该基板包括至少一个集成电路管芯,例如,多个未分开的存储器管芯或不同类型的集成电路管芯的混合体。所述单片基板还包括一个重分布机构,该重分布结构设置在至少一个集成电路管芯上并且提供了与所述至少一个集成电路管芯相连的连接器接触件。例如,所述连接器接触件可以构为一个用于所述模块的边缘连接器接触件的形式。所述重分布结构可以构成为提供与所述至少一个集成电路管芯电连接的无源电子器件的形式,和/或所述重分布结构可以包括至少一个构成为与安装在所述基板上的电子器件的接触盘实现电连接的形式的导电层,其中所述无源器件可以是,例如,电感、电容和/或电阻。还论述了电子模块的制造方法。
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公开(公告)号:CN1893053A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610054947.6
申请日:2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/16 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/97 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种制造芯片嵌入型插件的方法,其可以包括:在硅衬底上形成至少一个凹腔,形成多个穿入所述硅衬底的通路,提供具有多个输入/输出焊盘的集成电路芯片,以及形成连接于所述输入/输出焊盘和通路的重布线导体。使用所述插件,可以在晶片的层次上组成具有不同种类的芯片的堆叠结构。
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公开(公告)号:CN101026102A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710004098.8
申请日:2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/29 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 在层叠芯片结构及其制造方法中,使用相对简单的工艺完全填充下芯片和上芯片之间的间隙,消除下和上芯片之间的空隙,并消除与空隙相关的断裂和剥离问题。本发明可被应用于芯片级和晶片级键合方法。在层叠芯片或层叠晶片之前,光敏聚合物层被施加到第一芯片或晶片。该光敏聚合物层被部分地固化,以便使该光敏聚合物层的结构稳定,同时保持其粘附性能。第二芯片或晶片被层叠、对准和键合到第一芯片或晶片,然后该光敏聚合物层被固化,以完全键合第一和第二芯片或晶片。以此方式,芯片/晶片之间的粘附力被大大地提高,同时提供间隙的完全填充。此外,机械可靠性被提高和CTE不匹配被减小,减轻与翘曲、断裂和剥离相关的问题,从而提高器件成品率和器件可靠性。
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