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公开(公告)号：CN117855183A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202310905558.3
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一再分布结构；第一半导体器件，安装在第一再分布结构上；模制层，围绕第一半导体器件；第二再分布结构，设置在模制层和第一半导体器件上；多个竖直连接导体，在模制层中竖直地延伸，并将第一再分布图案电连接到第二再分布图案；第二半导体器件，安装在第二再分布结构上，第二半导体器件和第一半导体器件彼此竖直地部分重叠；散热焊盘结构，接触第一半导体器件的上表面；以及散热板，设置在散热焊盘结构上，并沿第一直线与第二半导体器件间隔开，该第一直线在与第一半导体器件的上表面平行的水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN107689359B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201710397399.5
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。
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公开(公告)号：CN115910978A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210724273.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装基板，具有分别包括多个第一下表面焊盘和多个第一上表面焊盘的下表面和上表面；第二封装基板，具有分别包括多个第二下表面焊盘和多个第二上表面焊盘的下表面和上表面，其中，所述多个第二上表面焊盘包括位于所述第二封装基板的上表面处的所有上表面焊盘；半导体芯片，设置在所述第一封装基板和所述第二封装基板之间并且附接到所述第一封装基板上；以及多个金属芯结构，将所述多个第一上表面焊盘中的一些第一上表面焊盘连接到所述多个第二下表面焊盘中的一些第二下表面焊盘并且不与所述多个第二上表面焊盘中的任何第二上表面焊盘垂直交叠，每个所述金属芯结构具有金属芯。
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公开(公告)号：CN104637908B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201410645885.0
申请日：2014-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 公开了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：封装基体基底；至少一个第一半导体芯片，设置在封装基体基底上；第一模制构件，设置在与所述至少一个第一半导体芯片相同的水平处并且不覆盖所述至少一个第一半导体芯片的上表面；至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述至少一个第一半导体芯片上以在所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件上方延伸，其中，所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件的至少一部分设置在封装基体基底和所述至少一个第二半导体芯片之间；以及第二模制构件，设置在与所述至少一个第二半导体芯片相同的水平处。
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公开(公告)号：CN104637908A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410645885.0
申请日：2014-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 公开了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：封装基体基底；至少一个第一半导体芯片，设置在封装基体基底上；第一模制构件，设置在与所述至少一个第一半导体芯片相同的水平处并且不覆盖所述至少一个第一半导体芯片的上表面；至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述至少一个第一半导体芯片上以在所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件上方延伸，其中，所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件的至少一部分设置在封装基体基底和所述至少一个第二半导体芯片之间；以及第二模制构件，设置在与所述至少一个第二半导体芯片相同的水平处。
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公开(公告)号：CN110620122B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910326602.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由隔离区域限定，并在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并且在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第二六边形阵列。
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公开(公告)号：CN115985870A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210924659.0
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上；芯片连接端子，被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片；底部填充层，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，并且围绕芯片连接端子；竖直多孔结构，填充在竖直方向上穿过第一半导体芯片、第二半导体芯片和底部填充层的多个竖直冷却通道的空间，并且具有多个冷却孔；以及冷却流体，被提供给竖直多孔结构的多个冷却孔以在多个竖直冷却通道内部流动。
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公开(公告)号：CN111063677A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910739955.1
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一封装基板；位于第一封装基板上的第一半导体芯片；将第一封装基板连接到第一半导体芯片的多个第一芯片连接单元；位于第一半导体芯片上的中介层，该中介层在平行于第一封装基板的上表面的方向上的宽度大于第一半导体芯片在平行于第一封装基板的上表面的方向上的宽度；以及上填充层，其包括位于第一半导体芯片和中介层之间的中心部分和围绕中心部分的外部部分，外部部分在垂直于第一封装基板的上表面的方向上的厚度大于中心部分在垂直于第一封装基板的上表面的方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN110620122A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910326602.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由隔离区域限定，并在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并且在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第二六边形阵列。
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