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公开(公告)号:CN104064620A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410243025.4
申请日:2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/09
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器,包括基底,其特征在于所述基底上由下而上依次设置下金属膜层、下电介质隔层、上金属膜层、上电介质隔层和金属光栅层,还包括上、下金属膜层电极导线,分别连接至上、下金属膜层上作为探测器的输出端口。因本设计中作为核心的金属光栅层会带来光栅层的局域陷光效应,以及上、下金属膜层光吸收的明显差异导致的电子流隧穿效应,故本发明的这种光电探测器同时具备体积小(纳米量级)、耗材少、结构相对简单、易于加工、光谱响应宽、探测角度大等特点。
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公开(公告)号:CN209087884U
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201822171481.9
申请日:2018-12-24
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型属于光电探测和传感技术领域,为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器光吸收不高和吸收波段调制困难的问题,提出一种用于制作红外探测器的复合结构,利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器;通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底层金属薄膜的表面等离激元,以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收,并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层,从而得到可观的光响应度;通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。
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公开(公告)号:CN208795654U
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201821462341.0
申请日:2018-09-07
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本实用新型公开了一种用于测试折射率的传感器,涉及微纳尺度的传感器件,属光信息领域;该传感器包括金纳米块阵列模组、用于封装所述金纳米块阵列模组的壳体及500~1500 nm波段高透的薄膜,所述金纳米块阵列模组封装于所述壳体中,所述薄膜覆盖在壳体表面用于密封,其特征在于所述的金纳米块阵列模组依次由衬底层、金薄膜层、聚电解质层、金纳米块阵列层复合组成;本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振,利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测,金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。
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公开(公告)号:CN205863350U
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201620554928.9
申请日:2016-06-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种硅微纳结构光电化学电池,一种硅微纳结构阵列光电化学电池,包括电解池,电解池内设置的硅基底,设于所述硅基底背面的导电层,设于所述硅基底正面的硅微纳结构阵列,设于所述硅微纳结构阵列表面的金属-二氧化硅核壳复合纳米颗粒,设于用所述金属-二氧化硅核壳复合纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列表面的二氧化钛钝化层,设于所述硅微纳结构阵列对应侧的对电极;所述电解池内填充电解液,所述的导电层与电解液之间设置绝缘隔离层。本实用新型结合金属-二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化,大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
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公开(公告)号:CN222299482U
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202420824545.3
申请日:2024-04-19
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/43 , G01N21/01
Abstract: 本实用新型公开了一种基于凹型反射光栅的微流控折射率传感器,包括多层结构,多层结构包括二氧化硅顶盖和基底,基底上设有梯形光栅结构层,梯形光栅结构层包括薄膜层和设置于薄膜层上的复数个梯形光栅,每个梯形光栅顶部均设有凹槽,所述凹槽深度为20‑100nm,宽度为100‑500nm。本实用新型在金属‑介质分界面激发表面等离子体共振,二氧化硅顶盖与光栅结构之间设有微流控槽腔,使得强电场与待分析物之间的空间重叠显著增加,提高了折射率传感的灵敏度;在普通的周期性光栅结构中引入凹型微结构,增强光栅对光场的束缚能力,使光场集中在高折射率区域,提高了折射率传感的品质因数。
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公开(公告)号:CN216107248U
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202122209020.8
申请日:2021-09-13
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/081 , C25B11/089 , C25B11/087 , C25B11/059
Abstract: 本申请公开了一种光电极及Pt基纳米合金催化剂。该一种光电极,选用p型单晶硅基底作为平面硅基底,所述平面硅基底的一侧配置有背导电层,所述背导电层连接导线,所述平面硅基底的与所述背导电层相对侧上配置有硅微纳米线阵列层及活性金属层。该Pt基纳米合金催化剂的纳米合金的尺寸可控,空间分布是均匀的。并通过试验验证本申请提出的实施方式获得的纳米合金催化剂,具有优异和稳定的催化活性。
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公开(公告)号:CN209981234U
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201921298301.1
申请日:2019-08-12
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108
Abstract: 本实用新型提供一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器,包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜;布拉格反射器和金属薄膜依次设于二氧化硅基底上;布拉格反射器由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层由上至下交替设置而成,布拉格反射器与金属薄膜的接触面为高折射率薄膜层且设置为二氧化钛;金属薄膜的顶部设有顶部导电电极,位于顶层的高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。提高了光子吸收率、热电子的输运效率和光电探测器的响应度;并能够通过与金属薄膜相邻的二氧化钛的厚度调节可改变探测器的响应波长和实现多窄带的光电探测;且本实用新型结构简单,便于生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN209052400U
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201821530176.8
申请日:2018-09-19
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B3/04
Abstract: 本实用新型属光电转换与新能源领域;为解决现有技术中不同光吸收层的接触界面存在大量缺陷和能带不匹配的问题而导致载流子严重复合的技术问题,公开了一种用于光解水的双吸收层光阳极,所述的双吸收层光阳极为复合层式结构,沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层;其特征在于:硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层,所述的钝化层各处厚度相等;通过原子层沉积技术在内外吸收层之间设置钝化层,可以保证所生长的钝化层保形地沉积在硅微米线表面,且厚度可控制至0.1 nm级别,进而确保中间钝化层的均匀性、钝化效果和载流子随穿效应。
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公开(公告)号:CN218734314U
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202221420960.X
申请日:2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H04B10/116
Abstract: 本申请公开了一种基于STM32单片机的可见光传输字符的装置,包括字符录入模块、发射模块、供电模块、接收模块和字符显示模块;发射模块包括第一STM32单片机、第一串口通信电路、LED驱动电路和LED阵列;接收模块包括第二STM32单片机、第二串口通信电路、光电探测器和模/数转换电路。本申请的发射模块和接收模块利用串口通信协议,创新性地结合模/数转换电路,进行阈值比较,实现以可见光为载体的无线、长距离信息传输,减少误码率,提高信噪比;创新性地串联单个小功率LED形成LED阵列,兼顾了大功率LED的发光功率和小功率LED的调制速度,在增强发光强度的同时,提升整个装置数据传输速率,提高信号的传输距离与信噪比,增强信号的抗干扰性。
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公开(公告)号:CN217605734U
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202221429356.3
申请日:2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N27/26
Abstract: 本申请属于光电化学传感领域,为解决待测溶液在传感电极表面流通性不佳的问题,公开了一种无酶葡萄糖光电化学传感电极及传感器,包括n型硅层/导电层/防水绝缘层;n型硅层上表面向上凸起为纳米线阵列;纳米线阵列表面包覆有p型金属氧化物半导体薄膜层;p型金属氧化物半导体薄膜层与n型硅层形成的异质结能带结构为错开型,所述的n型硅层与导电层形成欧姆接触。在入射光照射下,p型金属氧化物半导体薄膜层与纳米线阵列产生的光生电子空穴对在异质结内建电场和外加偏压的共同作用下有效分离。能够在无酶修饰、外加一定偏压的条件下实现对葡萄糖的高灵敏度、高选择性、低背景噪声的检测。
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