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公开(公告)号：CN107641817B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710818779.1
申请日：2017-09-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构。光阳极制备方法包括以下步骤：a.采用电阻率为0.01～0.05Ω·cm的n型硅片；b.对硅片清洗后制备硅微米线阵列；c.以硅微米线阵列为基底，采用含有Fe3+的溶液，并在其中混入掺杂源离子溶液，作为生长氧化铁层的前驱液，对前驱液吸附的硅微米线阵列基底在空气中进行前期退火处理，得到硅/氧化铁微米线阵列；d.对硅/氧化铁微米线阵列基底在氮气或氩气氛围中进行后期退火处理；e.在后期退火后所得的硅/氧化铁微米线阵列基底的背面沉积导电层，并引出外置导线；f.在导电层上涂覆反水绝缘层。
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公开(公告)号：CN107641817A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710818779.1
申请日：2017-09-12
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构。光阳极制备方法包括以下步骤：a.采用电阻率为0.01～0.05Ω·cm的n型硅片；b.对硅片清洗后制备硅微米线阵列；c.以硅微米线阵列为基底，采用含有Fe3+的溶液，并在其中混入掺杂源离子溶液，作为生长氧化铁层的前驱液，对前驱液吸附的硅微米线阵列基底在空气中进行前期退火处理，得到硅/氧化铁微米线阵列；d.对硅/氧化铁微米线阵列基底在氮气或氩气氛围中进行后期退火处理；e.在后期退火后所得的硅/氧化铁微米线阵列基底的背面沉积导电层，并引出外置导线；f.在导电层上涂覆反水绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789042A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610183558.7
申请日：2016-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/027 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/30604 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/0273
Abstract: 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺，所述工艺包括以下步骤：(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶；(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理；(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理；(4)以步骤(3)所得硅片为基底，利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜；(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液，轻微晃动1?3分钟；不完全去除光刻胶，只是将光刻胶体积减小，保证硅基底表面有部分未被光刻胶或金属完全覆盖；(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中，在3?15℃的低温环境中密闭处理6?24小时；(7)将步骤(6)所得硅片进行去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列，解决了现有技术中的问题。
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公开(公告)号：CN105932372B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610403863.2
申请日：2016-06-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种光电化学响应的改性方法及光电化学电池，属光电转换与能源领域。该方法的关键步骤包括：热还原法制备金属纳米颗粒；制作以金属纳米颗粒为核心，二氧化硅为壳层的核壳纳米颗粒；将金属‑二氧化硅的核壳纳米颗粒修饰于硅微纳结构阵列表面；(4)以核壳纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列为基底使用原子层沉积技术沉积二氧化钛钝化层；退火处理，使得二氧化钛由无定型态转变为锐钛型；将表面修饰和钝化后的硅微纳结构阵列加工为电极，构筑成光电化学电池。本发明结合金属‑二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
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公开(公告)号：CN105932372A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610403863.2
申请日：2016-06-08
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01M14/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种光电化学响应的改性方法及光电化学电池，属光电转换与能源领域。该方法的关键步骤包括：热还原法制备金属纳米颗粒；制作以金属纳米颗粒为核心，二氧化硅为壳层的核壳纳米颗粒；将金属‑二氧化硅的核壳纳米颗粒修饰于硅微纳结构阵列表面；(4)以核壳纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列为基底使用原子层沉积技术沉积二氧化钛钝化层；退火处理，使得二氧化钛由无定型态转变为锐钛型；将表面修饰和钝化后的硅微纳结构阵列加工为电极，构筑成光电化学电池。本发明结合金属‑二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
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公开(公告)号：CN105789042B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201610183558.7
申请日：2016-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/027 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺，所述工艺包括以下步骤：(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶；(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理；(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理；(4)以步骤(3)所得硅片为基底，利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜；(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液，轻微晃动1‑3分钟；不完全去除光刻胶，只是将光刻胶体积减小，保证硅基底表面有一部分裸露出来；(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中，在3‑15℃的低温环境中密闭处理6‑24小时；(7)将步骤(6)所得硅片进行完全去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列，解决了现有技术中的问题。
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公开(公告)号：CN205863350U
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201620554928.9
申请日：2016-06-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种硅微纳结构光电化学电池，一种硅微纳结构阵列光电化学电池，包括电解池，电解池内设置的硅基底，设于所述硅基底背面的导电层，设于所述硅基底正面的硅微纳结构阵列，设于所述硅微纳结构阵列表面的金属-二氧化硅核壳复合纳米颗粒，设于用所述金属-二氧化硅核壳复合纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列表面的二氧化钛钝化层，设于所述硅微纳结构阵列对应侧的对电极；所述电解池内填充电解液，所述的导电层与电解液之间设置绝缘隔离层。本实用新型结合金属-二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
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