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公开(公告)号：CN105932372B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610403863.2
申请日：2016-06-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种光电化学响应的改性方法及光电化学电池，属光电转换与能源领域。该方法的关键步骤包括：热还原法制备金属纳米颗粒；制作以金属纳米颗粒为核心，二氧化硅为壳层的核壳纳米颗粒；将金属‑二氧化硅的核壳纳米颗粒修饰于硅微纳结构阵列表面；(4)以核壳纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列为基底使用原子层沉积技术沉积二氧化钛钝化层；退火处理，使得二氧化钛由无定型态转变为锐钛型；将表面修饰和钝化后的硅微纳结构阵列加工为电极，构筑成光电化学电池。本发明结合金属‑二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
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公开(公告)号：CN105932372A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610403863.2
申请日：2016-06-08
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01M14/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种光电化学响应的改性方法及光电化学电池，属光电转换与能源领域。该方法的关键步骤包括：热还原法制备金属纳米颗粒；制作以金属纳米颗粒为核心，二氧化硅为壳层的核壳纳米颗粒；将金属‑二氧化硅的核壳纳米颗粒修饰于硅微纳结构阵列表面；(4)以核壳纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列为基底使用原子层沉积技术沉积二氧化钛钝化层；退火处理，使得二氧化钛由无定型态转变为锐钛型；将表面修饰和钝化后的硅微纳结构阵列加工为电极，构筑成光电化学电池。本发明结合金属‑二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
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公开(公告)号：CN104091850A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410240195.7
申请日：2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0392 , H01L31/046 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52 , H01L31/076 , H01L31/03921
Abstract: 本发明公开了一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，包括自下而上依次平行设置的金属反射层、基底层、透明背部电极层、微晶硅薄膜层、中间层、绝缘层和非晶硅纳米线阵列层，绝缘层上设有多个与n型非晶硅核一一对应设置的纳米孔，n型非晶硅核向下延伸到其对应的纳米孔内部并与中间层的上表面接触，p型非晶硅层和i型非晶硅层设于绝缘层的上表面。其优点在于，不仅可以充分利用非晶硅纳米线的聚光特性，形成多种光的波导模式，同时还利用了非晶硅的纳米尺度柱状结构，当光入射到太阳能电池表面时发生多次反射/散射，增加光在太阳能电池中的路径，提高太阳光吸收率，从而提高本太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789042A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610183558.7
申请日：2016-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/027 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/30604 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/0273
Abstract: 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺，所述工艺包括以下步骤：(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶；(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理；(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理；(4)以步骤(3)所得硅片为基底，利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜；(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液，轻微晃动1?3分钟；不完全去除光刻胶，只是将光刻胶体积减小，保证硅基底表面有部分未被光刻胶或金属完全覆盖；(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中，在3?15℃的低温环境中密闭处理6?24小时；(7)将步骤(6)所得硅片进行去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列，解决了现有技术中的问题。
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公开(公告)号：CN105789042B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201610183558.7
申请日：2016-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/027 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺，所述工艺包括以下步骤：(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶；(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理；(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理；(4)以步骤(3)所得硅片为基底，利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜；(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液，轻微晃动1‑3分钟；不完全去除光刻胶，只是将光刻胶体积减小，保证硅基底表面有一部分裸露出来；(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中，在3‑15℃的低温环境中密闭处理6‑24小时；(7)将步骤(6)所得硅片进行完全去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列，解决了现有技术中的问题。
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公开(公告)号：CN104111565B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410265615.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/1347 , G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元法诺共振的微纳光开关，包括透明衬底，其特征在于透明衬底上依次叠置有金属薄膜层、向列相液晶取向转换层和起偏器，其中：起偏器给予透过光以初始的极化方向；向列相液晶取向转换层，用于接纳上述具有初始极化方向的透过光，并控制经由其透射出去的光的极化方向；金属薄膜层，其上蚀刻有单独的金属孔四聚体单元构型或由该单元经四方排列或六方排列而成的阵列拓扑构型，金属孔四聚体单元构型中的四孔呈D2h群对称，具有正交的短轴和长轴；当通过向列相液晶取向转换层透射下来的光的极化方向与短轴平行时，打开光路，反之则激发表面等离激元法诺共振，关闭光路。本发明不仅具有液晶光开关的所有优势，同时兼具传统液晶光开关不具备的波长选择功能。
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公开(公告)号：CN104111565A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410265615.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/1347 , G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元法诺共振的微纳光开关，包括透明衬底，其特征在于透明衬底上依次叠置有金属薄膜层、向列相液晶取向转换层和起偏器，其中：起偏器给予透过光以初始的极化方向；向列相液晶取向转换层，用于接纳上述具有初始极化方向的透过光，并控制经由其透射出去的光的极化方向；金属薄膜层，其上蚀刻有单独的金属孔四聚体单元构型或由该单元经四方排列或六方排列而成的阵列拓扑构型，金属孔四聚体单元构型中的四孔呈D2h群对称，具有正交的短轴和长轴；当通过向列相液晶取向转换层透射下来的光的极化方向与短轴平行时，打开光路，反之则激发表面等离激元法诺共振，关闭光路。本发明不仅具有液晶光开关的所有优势，同时兼具传统液晶光开关不具备的波长选择功能。
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公开(公告)号：CN205863350U
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201620554928.9
申请日：2016-06-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种硅微纳结构光电化学电池，一种硅微纳结构阵列光电化学电池，包括电解池，电解池内设置的硅基底，设于所述硅基底背面的导电层，设于所述硅基底正面的硅微纳结构阵列，设于所述硅微纳结构阵列表面的金属-二氧化硅核壳复合纳米颗粒，设于用所述金属-二氧化硅核壳复合纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列表面的二氧化钛钝化层，设于所述硅微纳结构阵列对应侧的对电极；所述电解池内填充电解液，所述的导电层与电解液之间设置绝缘隔离层。本实用新型结合金属-二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
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