-
公开(公告)号：CN112484998B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011281606.9
申请日：2020-11-16
Applicant: 苏州大学文正学院
IPC: G01M13/04 , G01M13/045 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于同步模态谱的风电机组轴承故障诊断方法，其包括：采集风电机组振动数据；基于所述风电机组振动数据构建同步模式谱；通过轴旋转频率与故障特征的瞬时频率之间的关系计算得到故障特征的理论阶次值；将所述同步模式谱中检测到的故障相关特征阶次与所述理论阶次值进行对比，对所述风电机组轴承进行故障诊断。本发明通过构建同步模态谱，仅仅只需要优化得到转速信息，识别其它特征成分是不要迭代优化。同步模态谱相比于现有阶次分析方法增强了对风电机组振动信号中蕴含轴承特征的提取能力。构建同步模态谱中嵌入了优化后的带宽参数，保证了提取特征成分带宽的合理性，显著提升同步模态谱对风电机组轴承故障特征的揭示能力。
-
公开(公告)号：CN114447218B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011231818.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 苏州大学文正学院
Abstract: 本发明提供了基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在基底上形成硒化锌一维纳米结构；在硒化锌一维纳米结构的两端分别形成双电极层和单电极层，以获得单极性阻变存储器坯料，双电极层包括与硒化锌一维纳米结构接触的活性金属电极层；将单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。利用本发明的制备方法获得了具有低操作电压、快速阻变速度、单极性导电等特性的基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器。并且，通过选取弱酸性溶液并控制弱酸性溶液处理时间，从而进一步降低阻变存储器首次工作时所需的电成型电压，并进一步提高阻变存储器的稳定性。
-
公开(公告)号：CN112484998A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011281606.9
申请日：2020-11-16
Applicant: 苏州大学文正学院
IPC: G01M13/04 , G01M13/045 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于同步模态谱的风电机组轴承故障诊断方法，其包括：采集风电机组振动数据；基于所述风电机组振动数据构建同步模式谱；通过轴旋转频率与故障特征的瞬时频率之间的关系计算得到故障特征的理论阶次值；将所述同步模式谱中检测到的故障相关特征阶次与所述理论阶次值进行对比，对所述风电机组轴承进行故障诊断。本发明通过构建同步模态谱，仅仅只需要优化得到转速信息，识别其它特征成分是不要迭代优化。同步模态谱相比于现有阶次分析方法增强了对风电机组振动信号中蕴含轴承特征的提取能力。构建同步模态谱中嵌入了优化后的带宽参数，保证了提取特征成分带宽的合理性，显著提升同步模态谱对风电机组轴承故障特征的揭示能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104064620A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410243025.4
申请日：2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/09
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器，包括基底，其特征在于所述基底上由下而上依次设置下金属膜层、下电介质隔层、上金属膜层、上电介质隔层和金属光栅层，还包括上、下金属膜层电极导线，分别连接至上、下金属膜层上作为探测器的输出端口。因本设计中作为核心的金属光栅层会带来光栅层的局域陷光效应，以及上、下金属膜层光吸收的明显差异导致的电子流隧穿效应，故本发明的这种光电探测器同时具备体积小(纳米量级)、耗材少、结构相对简单、易于加工、光谱响应宽、探测角度大等特点。
-
公开(公告)号：CN114613681A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011420070.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 苏州大学文正学院
IPC: H01L21/423 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成基于II‑VI族半导体的一维纳米结构；在所述一维纳米结构的两端形成第一金属电极层和第二金属电极层，以获得存储器坯料；对所述存储器坯料进行电子辐照处理，以获得存储器。本发明的方案获得了具有大存储窗口、高开关比等特性的基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器，并且该制备方法省去了制备浮栅层、氧化物阻挡层以及隧穿层的工序，且该制备方法工艺简单。
-
公开(公告)号：CN114447218A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011231818.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 苏州大学文正学院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在基底上形成硒化锌一维纳米结构；在硒化锌一维纳米结构的两端分别形成双电极层和单电极层，以获得单极性阻变存储器坯料，双电极层包括与硒化锌一维纳米结构接触的活性金属电极层；将单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。利用本发明的制备方法获得了具有低操作电压、快速阻变速度、单极性导电等特性的基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器。并且，通过选取弱酸性溶液并控制弱酸性溶液处理时间，从而进一步降低阻变存储器首次工作时所需的电成型电压，并进一步提高阻变存储器的稳定性。
-
公开(公告)号：CN104064619B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410242634.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/0376
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池，包括内核、外壳和导电电极，其特征在于：内核包括p型微晶硅纳米线型核，和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n+型微晶硅层，外壳包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层外的重掺杂p+型非晶硅层，非晶硅本征层和n型非晶硅层，重掺杂n+型微晶硅层和重掺杂p+型非晶硅层之间形成隧穿结，而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构，实现了对更宽太阳能波段(300～1100nm)更加充分地吸收，从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN104064619A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410242634.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/0376
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/076 , H01L31/035272 , H01L31/03685 , H01L31/03762
Abstract: 本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池，包括内核、外壳和导电电极，其特征在于：内核包括p型微晶硅纳米线型核，和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n+型微晶硅层，外壳包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层外的重掺杂p+型非晶硅层，非晶硅本征层和n型非晶硅层，重掺杂n+型微晶硅层和重掺杂p+型非晶硅层之间形成隧穿结，而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构，实现了对更宽太阳能波段(300～1100nm)更加充分地吸收，从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.019 seconds)
