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公开(公告)号：CN118367049B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410791786.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电导圆偏振光探测器及其制备方法，涉及光电探测领域，光电导圆偏振光探测器包括至少一个纳米手性结构；光敏层，其将所述纳米手性结构包覆且与所述纳米手性结构一一对应；所述光敏层的两端分别具有第一电极和第二电极。本发明将光电导与纳米手性结构进行结合所形成的光电导圆偏振光探测器具有较高的响应度和稳定性，同时能够较好地区分左旋圆和右旋圆偏振光。
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公开(公告)号：CN117894858B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410297610.6
申请日：2024-03-15
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种纳米手性结构、圆偏振光电探测器及其制备方法，涉及光电探测领域，纳米手性结构包括第一弧形段，在其厚度方向上的投影形状为圆弧形；过渡段，其形状具有纳米尖峰；第二弧形段，在其厚度方向上的投影形状为圆弧形，且其与所述第一弧形段开口相反。圆偏振光电探测器包括依次堆叠的衬底、光栅阵列、光敏层、介质层以及导电层，其中光栅阵列由所述的纳米手性结构组成。本发明通过圆偏振光激发纳米手性结构阵列与半导体交界处的等离激元的强弱不同，实现对左旋圆偏振光和右旋圆偏振光较强的响应差异，从而实现较好地区分左旋和右旋圆偏振光；规避了采用等离激元热电子的响应度低以及采用有机材料和钙钛矿材料稳定性较差的缺陷。
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公开(公告)号：CN117460269A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311792932.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性光电探测器及光加密通信系统、方法，涉及光电探测领域，双极性光电探测器包括第一导电层，其厚度为15~25nm；光敏层，其厚度为150~250nm，所述光敏层包覆于所述第一导电层的外部；第二导电层，其设置于所述光敏层的表面；以及，衬底，所述第一导电层、光敏层以及第二导电层依次堆叠在所述衬底上。该光电探测器可以分别在短波带和长波带激发极性相反的响应电流，并且能实现较宽范围的响应、极快的响应速度，可以根据实际需求选择特殊波段探测，探测能力大幅度提升。另外，光加密通信方法基于所述双极性光电探测器，该方法无需外加偏压工作，器件损耗低，且器件独特的双极性使得整个加密方式清晰简单，易于操作，减少了消息泄露的潜在问题。
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公开(公告)号：CN119816081A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510296359.6
申请日：2025-03-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种局部接触介质层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，局部接触介质层包括的截面形状为梯形，所述梯形的高为10~200nm；所述梯形的下底与电子传输层相连，其余部位嵌入钙钛矿吸收层。本发明通过将梯形绝缘钝化材料设置在钙钛矿层和电子传输层之间，有效提升钙钛矿层光吸收率的同时，使得载流子在局部钝化结构处行成一种特殊的电荷传输结构，实现了高效钝化钙钛矿层和电子传输层之间界面的效果，降低了界面复合，同时做到了不影响钙钛矿层与电子传输层之间载流子的传输，实现了高开路电压和高填充因子之间的平衡。
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公开(公告)号：CN119630075A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510158812.7
申请日：2025-02-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性圆偏振光探测器及其制备方法，涉及光电探测器领域，双极性圆偏振光探测器包括分别设置于光敏层两侧的第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层互为手性结构。本发明通过分别在光敏层上下两端放置镂空的左手性和右手性纳米阵列。使在LCP入射下，左手性纳米阵列处产生较强的光场，在RCP入射下，右手性纳米阵列处产生较强的光场。由于光场强度的差异化分布，基于丹倍效应，产生方向相反的内建电场，进而产生方向相反的光电流。进而解决目前圆偏光电探测器对入射光功率准确性的较高要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119277883A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411818801.9
申请日：2024-12-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种全钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，全钙钛矿叠层太阳能电池包括沿入射光方向依次堆叠的透明基底层、第一电极层以及第一宽带隙子电池功能层；所述透明基底层远离入射光的一侧为绒面；所述第一电极层厚度均匀地覆盖在所述透明基底层上；所述第一宽带隙子电池功能层厚度均匀地覆盖在所述第一电极层上；所述第一电极层为透明电极。本发明提供的微纳结构减反射效果稳定，适用于各种不同材料与构型的全钙钛矿叠层太阳电池；能够显著提高太阳能电池的工作光谱波段的光吸收能力，极大提升光电流而且器件易于制备，无需引入额外工艺流程使钙钛矿与微纳结构共形生长，显著降低生产过程的技术要求和生产成本。
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公开(公告)号：CN117560976B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410034889.9
申请日：2024-01-10
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器，涉及光电探测器领域，基于混维异质结光电探测器的性能提升方法包括建立评价光电探测器的性能指标，定义为响应度‑带宽积；调控混维异质结光电探测器的陷阱水平使所述光电探测器的所述性能指标达到第一响应度‑带宽积；调控入射光功率密度使所述光电探测器的所述性能指标达到第二响应度‑带宽积；对底部栅极进行调控使所述光电探测器的所述性能指标达到第三响应度‑带宽积；将所述第一响应度‑带宽积、第二响应度‑带宽积、第三响应度‑带宽积中值最大的一个作为所述光电探测器最佳的所述性能指标。本发明通过陷阱效应，光门控效应以及栅极调控三种机制协同作用，突破了光电探测器的响应度与响应时间的权衡，提升了光电探测器的综合性能。
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公开(公告)号：CN104075973B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410235322.4
申请日：2014-05-30
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构，其优点在于，本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量，同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量，且不会破坏纳米线阵列的完整性。
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公开(公告)号：CN104075973A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410235322.4
申请日：2014-05-30
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构，其优点在于，本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量，同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量，且不会破坏纳米线阵列的完整性。
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公开(公告)号：CN120051012A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510498280.1
申请日：2025-04-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H10F30/222 , H10F71/00 , H10F77/14
Abstract: 本发明公开了一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器领域，NPN型异质结光电探测器包括依次设置于正负电极之间的第一N型半导体层、P型半导体层和第二N型半导体层；所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层材质相同且所述P型半导体层的掺杂浓度大于所述第一N型半导体层的掺杂浓度。本发明通过在光电探测器上加上偏置电压显著提高了光电探测器的光生电流，实现了高响应度，实现了响应度与响应时间的制约关系解耦。通过设计NPN型异质结构探测器，底部的势垒和中间层的耗尽区域能够有效地降低暗电流，实现高的比探测率。
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