公开(公告)号：CN119967975A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510450196.2

申请日：2025-04-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  袁维文 ,  陈洋 ,  王紫薇 ,  江河 ,  孙倜 ,  许峰

IPC: H10H20/855 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种倒装微型发光二极管及其制备方法，所述倒装微型发光二极管包括按照矩阵排列的多个发光单元，每个所述发光单元包括沿着所述倒装微型发光二极管的出光方向层叠设置的主体结构与出光面结构，所述主体结构包括n型半导体结构，所述n型半导体结构与所述出光面结构一体成型；所述出光面结构包括斜面结构，所述斜面结构包括沿所述n型半导体结构的边缘至所述n型半导体结构的中心分布的n级斜面，n大于或等于2；所述斜面与水平面的夹角沿所述出光方向逐渐减小。本发明的倒装微型发光二极管，采用的多段倾斜面可以减小全内反射，增加光线出射的可能性，让更多的光可以逃逸出去，从而提升顶部光提取效率。

公开(公告)号：CN119967955A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510453035.9

申请日：2025-04-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  王紫薇 ,  袁维文 ,  陈洋 ,  江河 ,  孙倜 ,  许峰

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/812 ,  H10H20/816 ,  H10H20/815 ,  H10H20/831 ,  H10H20/855

Abstract: 本发明公开了一种高表面光提取效率的微型发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一LED外延片；其中，所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层；对所述GaN半导体层的N面进行退火处理，使所述GaN半导体层表面的GaN转化为GaO，得到GaN‑GaO半导体层；对所述GaN‑GaO半导体层的N面进行刻蚀，得到多面微锥镜图案层；其中，所述多面微锥镜图案层包括规则排列的多个多面微锥镜，相邻所述多面微锥镜的底部边缘相互贴合；所述多面微锥镜的底高比为（1‑2.5）:1。本发明的提升微型发光二极管表面光提取效率的方法，通过在半导体层的N面上设置特殊结构的多面微锥镜图案层，可以增大表面光提取效率及表面出光占比。

公开(公告)号：CN209087884U

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201822171481.9

申请日：2018-12-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 徐玉亭 ,  吴绍龙 ,  刘鉴辉 ,  刘慧敏 ,  俞童 ,  习雪 ,  眭博闻 ,  王紫薇

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224

Abstract: 本实用新型属于光电探测和传感技术领域，为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器光吸收不高和吸收波段调制困难的问题，提出一种用于制作红外探测器的复合结构，利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器；通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底层金属薄膜的表面等离激元，以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收，并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层，从而得到可观的光响应度；通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。