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公开(公告)号：CN113049542A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110491003.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明属光学传感技术领域，提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
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公开(公告)号：CN115305498B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111070565.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/081 , C25B11/087 , C25B11/089 , C25B11/059
Abstract: 本申请公开了一种光电极及制备方法及Pt基合金催化剂及其制备方法。该Pt基纳米合金催化剂的制备方法包括，将光电极放置于至少一个面为透光的包括电解质的电解池内，依据光源发出的激发光从电解池的透光面照射至光电极的表面，沿着激发光入射方向光电极包括依次层叠的活性金属层、钝化层、半导体光吸收层、背导电层及绝缘保护层，基于电化学工作站，且在激发光的照射下，并利用Pt电极、参比电极与光电极匹配，以对光电极的表面进行电化学处理，清洗电化学处理后的光电极，得到Pt基纳米合金催化剂及Pt基纳米合金催化剂修饰的光电极。
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公开(公告)号：CN109252179B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201811092399.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属光电转换与新能源领域；为解决现有技术中不同光吸收层的接触界面存在大量缺陷和能带不匹配的问题而导致载流子严重复合的技术问题，提出一种用于光解水的双吸收层光阳极，所述的双吸收层光阳极为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层；其特征在于：硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层，所述的钝化层各处厚度相等；通过在内外吸收层之间使用原子层沉积技术设置钝化层，可以保证所生长的钝化层保形地沉积在硅微米线表面，且厚度可控制至0.1 nm级别，进而确保中间钝化层的均匀性、钝化效果和载流子随穿效应。
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公开(公告)号：CN110224033A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910521496.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电转换与新能源领域，为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题，提出一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法，包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层；所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结；硅pn结的形貌为金字塔阵列结构；p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压，此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系，相当于外加了此大小的电压于氧化铁层，将有效降低氧化铁光阳极的开启电压，提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率，从而实现了完全光解水。
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公开(公告)号：CN115305498A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111070565.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/081 , C25B11/087 , C25B11/089 , C25B11/059
Abstract: 本申请公开了一种光电极及制备方法及Pt基合金催化剂及其制备方法。该Pt基纳米合金催化剂的制备方法包括，将光电极放置于至少一个面为透光的包括电解质的电解池内，依据光源发出的激发光从电解池的透光面照射至光电极的表面，沿着激发光入射方向光电极包括依次层叠的活性金属层、钝化层、半导体光吸收层、背导电层及绝缘保护层，基于电化学工作站，且在激发光的照射下，并利用Pt电极、参比电极与光电极匹配，以对光电极的表面进行电化学处理，清洗电化学处理后的光电极，得到Pt基纳米合金催化剂及Pt基纳米合金催化剂修饰的光电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112816443A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110166204.2
申请日：2021-02-04
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明属于电子信息领域，涉及一种电信号直接读出的光学传感装置及其制备方法，激发光照射至周期性金属纳米结构阵列层，待测物注入流通池并浸没传感芯片，之后，传感芯片将具有特征反射谷的反射光谱；当待测物的浓度或种类变化时，反射光谱特征反射谷的中心位置将发生变化；进而导致传感装置的光响应度谱的特征峰位发生位移，直接表现为两根引线间的光电流发生变化。通过装置输出光电流的变化，可反演出待测物的浓度或种类。本装置无需外置半导体光电探测单元，即可实现电信号直接读出的工作特性；此外，可工作在自驱动工作模式下，所采用的光源在传感测试过程中无需改变入射角度、功率和波长。
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公开(公告)号：CN110224033B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910521496.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电转换与新能源领域，为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题，提出一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法，包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层；所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结；硅pn结的形貌为金字塔阵列结构；p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压，此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系，相当于外加了此大小的电压于氧化铁层，将有效降低氧化铁光阳极的开启电压，提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率，从而实现了完全光解水。
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公开(公告)号：CN109252179A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811092399.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属光电转换与新能源领域；为解决现有技术中不同光吸收层的接触界面存在大量缺陷和能带不匹配的问题而导致载流子严重复合的技术问题，提出一种用于光解水的双吸收层光阳极，所述的双吸收层光阳极为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层；其特征在于：硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层，所述的钝化层各处厚度相等；通过在内外吸收层之间使用原子层沉积技术设置钝化层，可以保证所生长的钝化层保形地沉积在硅微米线表面，且厚度可控制至0.1 nm级别，进而确保中间钝化层的均匀性、钝化效果和载流子随穿效应。
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公开(公告)号：CN113049542B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110491003.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明属光学传感技术领域，提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
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公开(公告)号：CN112331737B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011197948.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电领域，公开了一种紫外‑可见‑近红外硅基光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层和底板。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200～2500nm波段范围内的光反射，硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子，使得器件整体的透射率接近零。利用无序纳米碗阵列化硅基底及沉积于上的金属薄膜对入射光子的高效吸收和光生载流子的有效收集，本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外‑可见‑近红外波段的光子实现显著光电响应和有效探测，且对光子的偏振和入射角度不敏感。
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