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公开(公告)号:CN113049542B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202110491003.X
申请日:2021-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明属光学传感技术领域,提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法,沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底;每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔;无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方,该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时,小分子可以渗透到无序多孔硅层,而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层;与双层无序多孔硅结构相比,本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度,还降低了响应时间;与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比,具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
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公开(公告)号:CN118225737A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410478650.0
申请日:2024-04-19
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/43 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种基于凹型反射光栅的微流控折射率传感器及其检测方法,包括多层结构,多层结构包括二氧化硅顶盖和基底,基底上设有梯形光栅结构层,梯形光栅结构层包括薄膜层和等间隔设置于薄膜层上的复数个梯形光栅,每个梯形光栅顶部均设有凹槽,所述凹槽深度为20‑100nm,宽度为100‑500nm。本发明在金属‑介质分界面激发表面等离子体共振,二氧化硅顶盖与光栅结构之间设有微流控槽腔,使得强电场与待分析物之间的空间重叠显著增加,提高了折射率传感的灵敏度;在普通的周期性光栅结构中引入凹型微结构,增强光栅对光场的束缚能力,使光场集中在高折射率区域,提高了折射率传感的品质因数。
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公开(公告)号:CN110429144B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201910739592.1
申请日:2019-08-12
Applicant: 苏州大学 , 苏州斯特科光电科技有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器,包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜;布拉格反射器和金属薄膜依次设于二氧化硅基底上;布拉格反射器由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层由上至下交替设置而成,布拉格反射器与金属薄膜的接触面为高折射率薄膜层且设置为二氧化钛;金属薄膜的顶部设有顶部导电电极,位于顶层的高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。提高了光子吸收率、热电子的输运效率和光电探测器的响应度;并能够通过与金属薄膜相邻的二氧化钛的厚度调节可改变探测器的响应波长和实现多窄带的光电探测;且本发明结构简单,便于生产。
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公开(公告)号:CN114927617A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210643740.1
申请日:2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L27/144 , H01L23/64 , H01L51/48
Abstract: 本发明属于可见光通信技术领域,公开了一种钙钛矿光电探测器、阵列及制备方法;钙钛矿光电探测器用于可见光通信,为复合层式结构,包括透明基底,透明基底上依次沉积的透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、麦芽酚修饰层、PCBM修饰层、电子传输层、第二导电层。在钙钛矿吸光层表面修饰麦芽酚修饰层,可以通过强金属螯合作用来消除钙钛矿吸光层中的锡离子相关陷阱。修饰的PCBM修饰层能与电子传输层形成双层电子传输结构,可有效促进光生载流子的传输和提取。麦芽酚修饰层和PCBM修饰层带来的钙钛矿吸光层的结晶质量和电荷转移特性的提高,可以提高单个钙钛矿光电探测器的响应速度、工作带宽、光响应度和比探测率。
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公开(公告)号:CN114923969A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210652861.2
申请日:2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N27/26
Abstract: 本发明属于光电化学传感领域,为解决待测溶液在传感电极表面流通性不佳的问题,公开了一种无酶葡萄糖光电化学传感电极、传感器及其制备方法,包括n型硅层/导电层/防水绝缘层;n型硅层上表面向上凸起为纳米线阵列;纳米线阵列表面包覆有p型金属氧化物半导体薄膜层;p型金属氧化物半导体薄膜层与n型硅层形成的异质结能带结构为错开型,所述的n型硅层与导电层形成欧姆接触。在入射光照射下,p型金属氧化物半导体薄膜层与纳米线阵列产生的光生电子空穴对在异质结内建电场和外加偏压的共同作用下有效分离。能够在无酶修饰、外加一定偏压的条件下实现对葡萄糖的高灵敏度、高选择性、低背景噪声的检测。
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公开(公告)号:CN112331737B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202011197948.2
申请日:2020-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电领域,公开了一种紫外‑可见‑近红外硅基光电探测器及其制备方法,所述的光电探测器为复合层式结构,沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层和底板。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200~2500nm波段范围内的光反射,硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子,使得器件整体的透射率接近零。利用无序纳米碗阵列化硅基底及沉积于上的金属薄膜对入射光子的高效吸收和光生载流子的有效收集,本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外‑可见‑近红外波段的光子实现显著光电响应和有效探测,且对光子的偏振和入射角度不敏感。
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公开(公告)号:CN112331737A
公开(公告)日:2021-02-05
申请号:CN202011197948.2
申请日:2020-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电领域,公开了一种紫外‑可见‑近红外硅基光电探测器及其制备方法,所述的光电探测器为复合层式结构,沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层和底板。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200~2500nm波段范围内的光反射,硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子,使得器件整体的透射率接近零。利用无序纳米碗阵列化硅基底及沉积于上的金属薄膜对入射光子的高效吸收和光生载流子的有效收集,本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外‑可见‑近红外波段的光子实现显著光电响应和有效探测,且对光子的偏振和入射角度不敏感。
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公开(公告)号:CN108169171B
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN201711291796.0
申请日:2017-12-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,其特征在于:其结合以自组织排列的聚苯乙烯球阵列为模板,通过沉积与去除工艺制备金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层的叠层结构,所述叠层结构具有与背景物质折射率相关的表面等离子激元共振峰位,据此可以测试出背景物质的折射率。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层所构筑的叠层结构的表面等离子激元共振的特征峰,实现背景氛围物质折射率的低成本、快速、精准测试。
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公开(公告)号:CN109100327B
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201811041364.9
申请日:2018-09-07
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备,涉及微纳尺度的制备及微纳光学,属光信息领域;提出了一种金纳米块阵列的制备方法,将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中;去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面,从而得到金纳米块阵列;实现了金纳米块的边长、金纳米块阵列的占空比、聚电解质层的厚度的可控加工;由于在制备过程未使用任何微纳加工或精密控制设备,制备成本相较其他方法要低;本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振,利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测,金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。
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公开(公告)号:CN110429144A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201910739592.1
申请日:2019-08-12
Applicant: 苏州大学 , 苏州斯特科光电科技有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器,包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜;布拉格反射器和金属薄膜依次设于二氧化硅基底上;布拉格反射器由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层由上至下交替设置而成,布拉格反射器与金属薄膜的接触面为高折射率薄膜层且设置为二氧化钛;金属薄膜的顶部设有顶部导电电极,位于顶层的高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。提高了光子吸收率、热电子的输运效率和光电探测器的响应度;并能够通过与金属薄膜相邻的二氧化钛的厚度调节可改变探测器的响应波长和实现多窄带的光电探测;且本发明结构简单,便于生产。
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