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公开(公告)号:CN119730412A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202510223727.4
申请日:2025-02-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/42 , H10F71/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元超表面的红外偏振光电探测器及其制备方法,属于光电探测技术领域。该光电探测器通过底部金属纳米阵列与WSe2/InSe异质结耦合共振,增强异质结红外光吸收,产生光载流子,最后被顶部电极层收集形成光电流,从而提升了原始WSe2/InSe异质结对红外光的探测能力。并且通过调整金属纳米阵列的周期以及长、宽的尺寸,可实现不同红外波长处的光学吸收增强。在施加4V偏压时,该光电探测器与原始WSe2/InSe异质结光电探测器相比,光电响应度提高1个数量级,比探测率提高2个数量级。偏振探测方面,利用纳米阵列的各向异性,也创造性地从偏振不敏感提升到偏振比为5.2。
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公开(公告)号:CN104111565B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201410265615.7
申请日:2014-06-13
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/1347 , G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元法诺共振的微纳光开关,包括透明衬底,其特征在于透明衬底上依次叠置有金属薄膜层、向列相液晶取向转换层和起偏器,其中:起偏器给予透过光以初始的极化方向;向列相液晶取向转换层,用于接纳上述具有初始极化方向的透过光,并控制经由其透射出去的光的极化方向;金属薄膜层,其上蚀刻有单独的金属孔四聚体单元构型或由该单元经四方排列或六方排列而成的阵列拓扑构型,金属孔四聚体单元构型中的四孔呈D2h群对称,具有正交的短轴和长轴;当通过向列相液晶取向转换层透射下来的光的极化方向与短轴平行时,打开光路,反之则激发表面等离激元法诺共振,关闭光路。本发明不仅具有液晶光开关的所有优势,同时兼具传统液晶光开关不具备的波长选择功能。
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公开(公告)号:CN104111565A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201410265615.7
申请日:2014-06-13
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/1347 , G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元法诺共振的微纳光开关,包括透明衬底,其特征在于透明衬底上依次叠置有金属薄膜层、向列相液晶取向转换层和起偏器,其中:起偏器给予透过光以初始的极化方向;向列相液晶取向转换层,用于接纳上述具有初始极化方向的透过光,并控制经由其透射出去的光的极化方向;金属薄膜层,其上蚀刻有单独的金属孔四聚体单元构型或由该单元经四方排列或六方排列而成的阵列拓扑构型,金属孔四聚体单元构型中的四孔呈D2h群对称,具有正交的短轴和长轴;当通过向列相液晶取向转换层透射下来的光的极化方向与短轴平行时,打开光路,反之则激发表面等离激元法诺共振,关闭光路。本发明不仅具有液晶光开关的所有优势,同时兼具传统液晶光开关不具备的波长选择功能。
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公开(公告)号:CN117979801A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410261017.6
申请日:2024-03-07
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有立体环状结构的柔性可穿戴热电器件及其制备方法,属于智能穿戴技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:S1、将粘结剂溶液制成粘结薄膜;粘结剂溶液包括第一粘结剂和流平剂;S2、在粘结薄膜表面分别铺设P型热电溶液和N型热电溶液,经烘干,分别得到P型热电/粘结薄膜和N型热电/粘结薄膜;S3、将P型热电/粘结薄膜和N型热电/粘结薄膜贴合在柔性薄膜基底之间,形成P型和N型交替的热电单元,相邻的P型热电/粘结薄膜和N型热电/粘结薄膜通过导线连接,得到复合热电器件;S4、对复合热电器件进行螺旋处理,形成环状立体结构,得到具有立体环状结构的柔性可穿戴热电器件。
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公开(公告)号:CN104064620A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410243025.4
申请日:2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/09
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器,包括基底,其特征在于所述基底上由下而上依次设置下金属膜层、下电介质隔层、上金属膜层、上电介质隔层和金属光栅层,还包括上、下金属膜层电极导线,分别连接至上、下金属膜层上作为探测器的输出端口。因本设计中作为核心的金属光栅层会带来光栅层的局域陷光效应,以及上、下金属膜层光吸收的明显差异导致的电子流隧穿效应,故本发明的这种光电探测器同时具备体积小(纳米量级)、耗材少、结构相对简单、易于加工、光谱响应宽、探测角度大等特点。
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公开(公告)号:CN119730412B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510223727.4
申请日:2025-02-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/42 , H10F71/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元超表面的红外偏振光电探测器及其制备方法,属于光电探测技术领域。该光电探测器通过底部金属纳米阵列与WSe2/InSe异质结耦合共振,增强异质结红外光吸收,产生光载流子,最后被顶部电极层收集形成光电流,从而提升了原始WSe2/InSe异质结对红外光的探测能力。并且通过调整金属纳米阵列的周期以及长、宽的尺寸,可实现不同红外波长处的光学吸收增强。在施加4V偏压时,该光电探测器与原始WSe2/InSe异质结光电探测器相比,光电响应度提高1个数量级,比探测率提高2个数量级。偏振探测方面,利用纳米阵列的各向异性,也创造性地从偏振不敏感提升到偏振比为5.2。
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